亚微米单元库电路性能参参数自动提取技术

开发了一种新的单元库电路性能参数自动提取技术，给出了该技术提取流程结构框图，详细阐述了输入电容的自动取、库单元的行为功能、电路模拟输入文件的产生及计算结果的处理。实际电路的实现证明了该技术的可行性和实用性。     

亚微米集成电路库设计技术

一、前言 集成电路制造工艺已经从亚微米过度到深亚微米。随着设计规模与复杂度的不断增加,产品推向市场的时间要求又越来越短,现在逻辑设计的IC设计师大都脱离原来的低层次原理图设计方法而采用高层次设计(HDL:High Level Design Language),设计综合成为逻辑设计的主流,以达到提高设计效率、缩短开发产品周期的目的,而逻辑综合就必需要有综合库。现在的逻辑综合工具是     

用于亚微米模拟VLSI中的实用串级电流镜电路

对亚微米模拟ＶＬＳＩ中使用的电流镜电路进行了改进。借助于ＰＳｐｉｃｅ４．０３软件了几个实用的电流镜电路。     

CMOS模拟数字单元库建库（功能模块）

通过Sparc工作站建立了用于CSC3057编译码滤波器的混合模拟／数字单元。采用这些功能块已设计出了采用双层多晶硅2微米CMOS工艺的电路。     

1.0微米门阵列单元库

本文主要介绍华晶中央研究所的1微米门阵列单元库的基本特性。     

扩展电阻法测量亚微米器件的结深和杂质分布

本文介绍了亚微米器件结深和杂质分布的测量方法，叙述了扩展电阻法测量结深的原理，并对其测量结果进行了分析和讨论。     

采用多次离子注入调整亚微米CMOS电路的阈电压

采用多次离子注入来调整亚微米CMOS的NMOS和PMOS管的阈值电压是研究亚微米CMOS电路的关键.浅离子注入调节表面掺杂浓度以达到调整阈值电压的目的.深离子注入调整源漏穿通电压.与LDD、硅化物工艺相合,已研制出0.5μm的CMOS 27级环振电路,门延迟为130ps.     

半导体器件与集成电路制造中的亚微米技术

本文叙述了当前世界上亚微米、深亚微米技术的发展趋势,分析了我国亚微米技术的现状,最后介绍了机械电子工业部第十三研究所在亚微米技术方面的进展及其在半导体器件与集成电路制造中的成功应用。     

亚微米生产线中的超纯水技术

本文以统计性的数据为依据，阐述了超纯水水质对器件的影响，列出亚微米ＣＭＯＳ线上的水质检测。围绕现代超纯水水质参数中总有机碳这一中心环节，讨论了降低该值的关键和相关问题换解决要点。     

亚微米集成电路的ESD保护设计

介绍了一种带ESD瞬态检测的VDD-VSS之间的电压箝位结构,归纳了在设计全芯片ESD保护结构时需要注意的关键点;提出了一种亚微米集成电路全芯片ESD保护的设计方案,从实例中验证了亚微米集成电路的全芯片ESD保护设计.     

双极型晶体管直流模型参数提取的局部优化方法

采用ＳＰＩＣＥ进行电路模拟时，获取适用的晶体管模型参数是非常重要的，它将直接影响电路模拟的精度。提取模型参数的方法有分段直接提取法、整体优化法以及局部优化法。前两种方法有其各自的缺点，局部优化法针对使用它们可能遇到的问题做了改进。本文针对双极型晶体管直流模型参数的提取，详细介绍了一种局部优化方法，经过使用，能够达到满意的精度。     

微波功率FET小信号等效电路参数提取方法

文章针对Ｓ参数提取微波功率ＦＥＴ小信号等效电路参数方法,着重论述二种改进的算法,并应用于我所研制的微波功率２１００μｍ栅宽的ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ管芯的小信号等效电路１３只元件参数计算,计算得出的Ｓ参数与实验数据相吻合,提高了计算速度和精度。     

一个电路版图自动设计系统

本文描述一个电路版图的自动设计系统。它将具有高级设计描述的模块分解成规模较小、易处理的单元，通过对单元进行平面规划、合理安置和多次转换后，自动地产生这些单元版图的ＣＩＦ文件。这是一个完全自动地将高级设计描述的电路转换成电路几何描述的过程．     

版图电路节点提取及其压缩算法

提出了一种版图电路节点提取及节点压缩算法。通过在工艺及文件中设定节点生成过程,该方法能方便地提取各种版图电路节点。     

基于标准单元库的多级函数分解

本文提出在ASIC综合技术中基于标准单元库的多级逻辑函数分解技术。分解过程利用单元库函数真值矩阵及各分解部分用标准单元实现的难易程度、逻辑级数来评价、引导分解得到的多级逻辑易于用标准单元组合实现。使用的标准单元类型具有较大程度的相似性,有利于基于标准单元布局布线软件进一步减少芯片面积。     

基于C语言的半规整电路版图编译器的开发

讨论了和Ｃ语言描述半规整电路版图结构的基本方法,总结出由基本单元拼接出更大单元的基本步骤,形成了较为通用的半规整电路版图编译器的编制方法。采用这一方法,在设计好某一特定类型半规整电路电路的单元版图和整体结构中以比较方便快速地构造出其对庆的版图编码器     

一种用于器件模型参数提取的芯片测试数据的获取方法

半导体器件的建模及模型参数提取是电子设计自动化(EDA)领域的关键性工作。要提取器件参数,获取并处理复杂繁重的测量数据是前提条件,也是非常重要的一个环节,如何简单有效的提取并处理参数提取测试数据就显得格外重要。本文提出了简单易用的用于器件模型参数提取的测试数据的获取方法。实验证明,该方法可以有效的获取大量繁杂的测试数据,具有较高的精确度,而且简单易用,适合推广使用。     

一种数模混合集成电路衬底耦合参数快速提取算法

边界元方法在计算衬底耦合电阻时，需要直接求解稠密矩阵方程Х＝Ｚ．Ｉ，时间复杂度为Ｏ（Ｎ＾３），Ｎ是总的衬底端口单元数，使得能计算的电路规模受到很大的限制。根据阻抗矩阵Ｘ中元素的物理意义，采用分段曲线拟合的方法。把它很好地表示成距离倒数的项式形式。在此基础上，采用多极点ＧＭＲＥＳ算法迅速求解Х＝Ｚ．Ｉ矩阵方程。时间复杂度为Ｏ（Ｎ），而结果和直接求解的结果非常接近。     

MGS—CMOS宏单元模块自动生成系统

本文介绍一个CMOS宏单元模块自动生成系统,该系统根据宏单元的电路描述,经过逻辑综合后自动完成布局、布线工作。并将布图结果转换成版图描述文件,从而实现了宏单元建库及模块生成的自动化。为了保证布通率及生成模块的正确性,系统提供了交互布图环境和模块正确性验证工具。