ZnO基紫外探测器的研究进展

ZnO是一种新型的宽带隙半导体光电材料,可用于制作高性能的紫外探测器,是未来半导体紫外探测器的发展重点.介绍了ZnO基紫外探测器常见的器件结构、探测材料的基本特性和主要制备方法,以及器件近期的研究进展,并扼要分析了其今后的发展方向.     

自催化生长GaSb纳米线及其在高性能紫外-可见-近红外光电探测器中的应用（英文）

本文应用镓金属液滴作为催化剂,采用化学气相沉积方法自催化合成了单晶GaSb纳米线.研究表明该GaSb纳米线为典型的p型半导体,霍尔迁移率为>0.042 cm^2V^-1s^-1.硅基和柔性衬底上构筑的基于GaSb纳米线的光电探测器,具有良好的紫外-可见-近红外宽光谱探测性能.硅基器件对500 nm的可见光响应率可达3.86×10^3A W-1,探测率可达3.15×10^13Jones;柔性器件在保持相似光电性能的同时,具有极好的机械柔韧性和稳定性.本文有助于更好地揭示自催化生长的GaSb纳米线的性能,并为进一步设计基于GaSb纳米线的功能光电器件打下了实验基础.     

四面体非晶碳作为薄膜声表面波器件增频衬底的研究

为了提高薄膜声表面波器件工作频率,并增强功率承受能力,采用过滤阴极真空电弧技术制备四面体非晶碳(ta-C)薄膜,用作IDT/ZnO/Si结构的增频衬底。通过解析层状结构声表面波传播状态方程,对IDT/ZnO/ta-C/Si声表面波器件进行优化设计,计算表明,随着ta-C层厚的增加,其增频作用愈加明显,且在层厚较薄时增幅较大,当膜厚超过一定程度,增幅趋缓。利用网络分析仪测试频率响应特征,利用纳米压痕测试薄膜硬度,并利用可见光Raman和XPS表征薄膜的结构。实验表明,ta-C膜层对IDT/ZnO/Si结构声表面波滤波器起到了明显的增频作用,膜厚越大,增幅越高,测试规律与计算结果吻合良好,ta-C能够代替化学气相沉积多晶金刚石用作薄膜声表面波器件的增频衬底。     

金刚石膜紫外光电导探测器及性能

用化学气相沉积法生长金刚石膜,在此膜上制作紫外光电探测器,并作了性能测试。该器件是叉指式电极结构,可以减小电极间隙,减少光激发载流子的损失,提高器件的响应灵敏度。表面处理可除去金刚石膜的低电阻表面层,提高器件对紫外光的探测性能。测试表明,用金刚石制作的器件对波长小于２２５ｎｍ的紫外光的响应比可见光高４个量级。     

CVD金刚石膜紫外光探测器

宽禁带半导体金刚石具有许多独特特性，基于此种材料的紫外光探测器能在高温、强腐蚀和强辐射等恶劣环境下工作，成为近年来紫外探测技术研究的重点课题之一。本文综述了CVD金刚石膜紫外光探测器的研究及应用进展。     

声表面波单电子输运器件的频率响应研究

为减少样品盒的电磁效应对声表面波单电子输运的影响,需要优化器件的样品盒结构.我们用全波法模拟不同样品盒的声表面波单电子输运器件的频率响应,同时测试该频率响应.模拟结果与测试结果较为一致.二者表明,电磁馈通效应对声表面波单电子输运器件的频率响应影响显著.通过适当改进器件的样品盒可以较有效地抑制电磁馈通效应.这将有助于提高量子化声电电流的精度.     

声表面波在AlN/GaN中的传播特性分析

从矩阵方法的基本原理出发,结合AlN/GaN结构的机械和电学边界条件,推导出用于求解声表面波在AlN/GaN结构中的相速的行列式方程.通过求解该行列式方程,分析了声表面波在AlN/GaN结构中的传播特性,包括声表面波相速和机电耦合系数随频率、AlN的膜厚和c轴取向的变化规律.AlN/GaN结构减弱了GaN中施主杂质的影响,使该结构更适合于声表面波器件的应用,AlN和GaN作为半导体压电材料,其AlN/GaN结构便于与其它电路集成化,有利于减小器件的尺寸,增强声表面波器件的功能.     

一维ZnO纳米材料制备技术研究进展

氧化锌可用于透明导电膜、表面声波器件、真空荧光显示器、气体传感器、光激射激光器、紫外光探测器等,有广泛发展的产业化前景.近年来,一维ZnO纳米材料(纳米线、纳米带、纳米管等)的制备和应用已成为研究热点.综述了一维ZnO纳米材料制备方法的最新进展.     

ZnO基紫外光电探测器的研究进展

ZnO基紫外光探测器被认为是目前研究紫外探测器的重点之一.简要介绍了ZnO基紫外光探测器采用的基本结构:包括光电导型、肖特基势垒型以及p-n结型;比较了不同结构的ZnO紫外光探测器所具有的优缺点,对光电导型、肖特基势垒型以及p-n结型紫外光探测器近几年的发展分别进行了详细评述.     

中高频声表面波关键材料与应用研究

随着第三代通讯技术的发展,声表面波(SAW)器件的使用频率不断提高,从最初的数MHz发展到现在的数GHz,如应用于1.9GHz的个人通讯服务系统,2.4GHz的无线局域网络系统及高于5GHz无线多端发送系统。这些高频应用系统的不断发展显著增大了高频声表面波器件的市场需求以及对相关材料与器件研究的兴趣。介绍近年来在中高频声表面波材料与应用方面所作的一些研究工作,主要进展有:(1)采用纳米级金属(Ti、Zr、Ni)过渡层,并通过适量添加Mo等微合金元素,研制出多种具有高抗电迁移和功率耐受性的叉指换能器材料,制备的滤波器频率达到2.4GHz;(2)成功解决Si、金刚石、ZnO、Al多层材料间声匹配问题,获得可用于高频声表面波器件制作的高品质材料,ZnO薄膜具有高度C轴取向(类单晶结构),制作得器件频率达3GHz。(3)将藕合模(COM)和镜像耦合理论成功应用于多层复合膜声表面波器件的设计,发展出具有自主知识产权的设计平台和相关软件;(4)针对高频声表亚200纳米密集叉指换能器和毫米级汇流条同时曝光的挑战,发展了一种新的分层分剂量进行临近效应修正电子束直写技术,制备出线宽达0.2μm的声表面波器件(中心频率为3～4G...