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化学气相沉积(CVD)金刚石一般无法直接应用,需要对其进行抛光处理。在熟悉平面厚膜抛光的机理基础上,采用自制抛光的设备,对拉伸模具内孔CVD金刚石薄膜进行机械抛光工艺的研究,借助表面粗糙度仪、扫描电子显微镜(SEM)对抛光前后及抛光过程中金刚石的表面形貌进行了观察,并对抛光过程进行了分析,研究表明:采用先粗抛光后半精抛光的工艺较为理想。 相似文献
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以抛光的CVD金刚石厚膜为基体,用X射线衍射测出其光谱,再运用布拉格公式计算出表面的残余应力,测出一定应力状态下对应红外透射率的大小,探讨CVD金刚石厚膜的内应力和红外透射率之间的作用规律。研究结果表明:抛光的CVD金刚石厚膜由于竞争生长模式下的粗大柱状晶和非金刚石成分的掺杂,使得内应力变化较大,随着膜中残余应力的增大CVD金刚石膜红外透射率将减小。 相似文献
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掺硼金刚石膜的电火花加工研究 总被引:1,自引:0,他引:1
由于金刚石膜的加工极其困难,提出了一种通过在制备过程中掺杂使金刚石膜导电的金刚石膜精加工新工艺,利用电火花对掺杂金刚石膜进行电加工。研究了电参数对金刚石膜加工性能的影响,用SEM和Raman分析了金刚石膜电火花加工表面的形貌和成分。研究了掺硼金刚石膜电火花加工的加工机理,建立了电火花加工模型。试验结果表明,电参数对金刚石膜的加工速度、表面粗糙度有较大影响,掺杂金刚石膜的电火花加工是汽化、熔化、氧化、石墨化等多种效应的综合作用结果,通过掺杂可以显著改善金刚石膜的可加工性。 相似文献
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近些年来,化学气相沉积(Chemical vapor deposition,CVD)单晶金刚石在电子学领域的应用令人瞩目,这得益于CVD单晶金刚石在生长技术和半导体掺杂技术上的进展。一直以来,成熟的衬底加工技术是半导体材料得以应用的基础,其中超精密抛光作为晶圆衬底加工的最后一道工序,直接决定了晶圆表面粗糙度和亚表面损伤程度。可以预见,超精密抛光技术将会在制备大尺寸高质量金刚石衬底中发挥重要作用。对目前国内外现有的单晶金刚石抛光方法进行综述,以制备大尺寸高质量单晶金刚石衬底为目标,从加工设备、工艺参数、加工精度、加工效率和材料去除机理等方面进行分析,总结各种抛光方法的优势和缺点,展望未来大尺寸单晶金刚石衬底抛光技术的发展趋势。目前鲜有针对大尺寸单晶金刚石抛光技术的综述,本文为国内学者展开单晶金刚石抛光相关工作的研究提供综述资料。 相似文献
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《机械制造与自动化》2017,(5)
在CVD金刚石膜抛光机理研究的基础上,采用模块化的设计思想,对抛光装置的模具装夹及传动模块、抛光头及传动模块、高频感应加热模块、抛光装置床身模块进行了设计,完成了CVD金刚石涂层拉伸模具内孔的抛光装置的研制。用此装置抛光在保证较高的抛光效率的同时可以获得较好的表面质量。 相似文献
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Cr过渡层沉积粘附型CVD金刚石膜的机理研究 总被引:3,自引:1,他引:3
研究了电沉积层作为过渡层沉积CVD金刚石膜的工艺,在硬质合金的Cr电沉积层上用热丝法沉积出CVD金刚石膜。利用SEM分析了电沉积层的形貌,利用EPMA分析了H等离子处理后电沉积层的断面,利用SEM和Raman分析了金刚石膜的表面形貌、成分,利用XRD分析了过渡层和CVD金刚石膜的结合面.利用压痕法研究了金刚石薄膜与基体的结合力。结果表明,H等离子处理使得硬质合全与Cr镀层成为冶金结合,提高了电沉积层的结合强度;在Cr过渡层与金刚石膜之间形成的Cr3C2和Cr7C3等碳化物有利于金刚石的成核和膜基结合强度的提高。 相似文献