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在Mn:Fe:LiNbO3晶体中加入抗光折变元素铟,使用Czochralski法生长In:Mn:Fe:LiNbO3晶体,并对晶体进行氧化还原处理,测试了晶体紫外-可见吸收光谱.结果表明:铟的掺入使晶体吸收边发生移动,生长态晶体吸收边稍向紫移,氧化处理晶体吸收边紫移程度较大,还原处理晶体吸收边红移.通过二波耦合实验,使用输出功率30 mW的He-Ne激光器进行单光写入与擦除实验,测试了晶体记录过程中的响应时间与擦除时间.研究结果表明:In3 的掺入可通过提高擦除时间与响应时间之比,较大地提高晶体的动态范围;用生长态摩尔分数1%的In:Mn:Fe:LiNbO3晶体进行擦除时,衍射效率达到30%,衍射效率不随时间变化. 相似文献
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采用提拉法,从Li/Nb变化(0.94,1.05,1.20,1.38)的熔体中生长出Mg:Sc:Fe:LiNbO_3晶体。Li/Nb=1.05的晶体OH~-振动吸收峰在3504cm~(-1)处出现的主吸收峰,且在3466cm~(-1)、3481m~(-1)处有两附加峰。Li/Nb=1.38的晶体OH~-振动吸收峰在3535 cm~(-1)处出现附加吸收峰。红外光谱结果表示Li/Nb=1.05的晶体是近化学剂量比的,且Sc掺质优先于Mg掺质达到阈值浓度。采用透射光斑畸变法测得Mg:Sc:Fe:LiNbO_3晶体(Li/Nb=1.05)的抗光损伤能力为2.0×10~4W/cm~2,比Fe:LiNbO_3提高了三个数量级。采用波长为632.8nm的He—Ne激光器作为光源,通过二波耦合方法测试晶体全息存储性能。实验结果表明:随着Li/Nb的增加,晶体的写入时间缩短,晶体的衍射效率降低,光折变灵敏度增加,动态范围减少。在一系列晶体中,Mg:Sc:Fe:LiNbO_3晶体(Li/Nb=1.05)更加适合作为全息存储介质。 相似文献
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资深软件开发工程师阮奇桢,将自身多年积累的有关测试测量、虚拟仪器,LabVIEW应用开发的经验与理念在"奇桢工坊"与大家分享。希望各类产品设计工程师多少能有所收获。 相似文献
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T. K. Zvonareva V. I. Ivanov-Omskii K. F. Shtel’makh 《Technical Physics Letters》2000,26(12):1055-1057
Microwave power absorption in copper-modified α-C:H films (maximum copper content, 8%) was studied in the 3.8–20 K temperature range. The EPR spectrum is interpreted as being due to a strongly anisotropic absorption of isolated paramagnetic copper centers. A model for the formation of paramagnetic copper centers involving oxygen atoms is proposed. At temperatures above 18 K, the system exhibits a nonresonance absorption of the microwave power. The temperature dependence of this absorption signal is described by an exponential law with the parameter ΔE=250±30 K. This temperature dependence is explained assuming the existence of copper nanoclusters. The ΔE value can be considered as the depth of an energy well corresponding to the nanocluster formation. 相似文献
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几年前,在《照相机》杂志和其他一些摄影刊物上曾有过有关闪光灯高压触发和低压触发的讨论。近年来似乎“平安无事”闪光灯高压触发的危害逐渐被淡忘。要不是本人亲历了佳能EOS Rebel照相机被闪光灯高压触发烧坏,我还一度以为“闪光灯高压触发的祸害”是耸人听闻。近年来,随着技术的发展,电器元件在照相机特别是数码照相机上的使用比例越来越高,可以说照相机对闪光灯高压触发的“抵抗力”越加脆弱,因此,想 相似文献
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