Si基Ge材料在材料生长及探测器研制方面的主要进展探讨

硅基硅锗材料由于与成熟的硅微电子工艺兼容,加上优越的性能,在硅基光电子器件如光电探测器、场效应晶体管等方面得到了广泛的应用。III-Ⅴ族半导体材料在1.3~1.55μm具有较大的吸收系数,是理想的吸收区材料;然而,III-Ⅴ族半导体材料价格昂贵、导热性能不好,机械性能较差,并且与现有成熟的硅基工艺兼容性差,限制了其在光电集成技术中的应用。而Si Ge材料与Si基微电子器件的制作工艺相兼容,应变的外延Ge材料吸收波长扩展到了1.6μm以上,因此研究Si基外延纯Ge探测器引起人们极大兴趣。本文综述了硅基硅锗材料在探测器研制及材料制备方面的主要进展情况。     

嵌入式Modem在配变终端单元中的应用

主要介绍硅实验室双芯片形式的嵌入式Modem(ISOmodem)芯片Si2414和Si3015,以及ISOmodem在配电变压器远方终端单元(TTU)中的应用;重点介绍运用ISOmodem通信的硬件及软件设计。     

国外电力半导体器件的发展水平及动向

<正> 前言电力半导体器件分硅整流管、硅晶闸管、硅功率品体管三大类。其中硅晶闸管又分为逆阻、逆导、快速、双向、可关断、光控、场控和温控等型式。但由于逆阻硅晶闸管发明最早、发展最快、使用最广、所以一般文献、资料都将逆阻硅晶闸管通称为硅晶闸管,而其它硅晶闸管则用全名。本文也采用这种命名方法。自1955年及1957年美国开始分别生产硅整流管、硅晶闸管以来,由于这些器件具有体积小、重量轻、效率高、寿命长、维护简单等优点,所以发展极快。另外,根据不同应用领域的要求,相继派生出诸     

硅钼炉的功率调节与模糊控制

针对以硅钼棒为发热元件，具有大容量，纯滞后，热惯性时变的硅钼电炉特性，设计出一种以模糊控制器为主，功率调节器为辅的混合控制器，控制系统中，功率调节器为内环，主要作用是克服硅钼棒随温度升高电阻非线性增加，而导致电炉高温区的加热功率不足，影响升温速率和升温过程；外还为温度反馈环，采用模糊PID控制器，便于解决钼炉存在的非线性，参数时变及数学模型的不确定性。实际运行结果表明，在硅钼炉控温系统中，采用这种混合控制器的效果优于一般模糊控制。     

亮度提升22%索尼LCD采用新面板

11月28日,索尼公司推出了其HX和HS73P两个系列的液晶显示器产品。HS73P Clear Bright LCD采用了“纯黑液晶屏技术”(Clear Bright LCD).这种纯黑液晶屏技术将被索尼用在日后生产的全系列液晶显示器产品上。Clear Bright LCD是带有硅涂层的液晶面板,在颜色对比方面提供更大的动态范围,从而将亮度提升约122％,这样的技术指标意味着HS73P上下、左右视角均可达到160°。“纯黑液晶屏技术”的另一大功用便是借     

一种新型的光谱记录系统

本文介绍了采用自扫描硅光电二极管阵为探测器的光谱记录系统,以及实时数据采集系统。目前,该系统已被用于天文观测及实验室中,并取得大量结果。     

一种小分子敏感材料的制备与气敏特性研究

合成了一种氢键酸性小分子神经毒气敏感材料.以二氯硅烷、2-溴甲基萘、活化锌粉、丙烯基苯为起始原料,通过格氏反应、硅氢加成,制备得到二(苯丙基)-二[(2-萘基)甲基]硅烷,然后用六氟异丙醇进行取代,得到二[3,5-双(2-羟基六氟异丙基)苯丙基]-二{(4,6,8-三[3,5-双(2-羟基六氟异丙基)]-2-萘基)甲基...     

逆导硅晶闸管斩波调速在矿用电机车上的应用

<正> 近年来,我国在逆导硅晶闸管(即逆导可控硅元件)的研制和应用方面有了很大的发展,并取得了一定的经验。1972年我国第一辆用逆导硅晶闸管斩波调速的无轨电车在西安诞生了。1973年逆导硅晶闸管应用在北京地铁机车。几年来,实践证明采用逆导硅晶闸管斩波调速比以往采用普     

漫漫硅光电研究路——英特尔研究院光电子技术实验室资深科学家访谈

近年来，英特尔公司在硅光电子（Silicon Photonic）领域跨越了许多技术难题，最终获得了突破性的创新成就。本刊记者也曾两次参观过位于英特尔美国圣克拉拉总部的硅光电子技术实验室，对于这一近乎奇迹般的研究成果有着深厚的兴趣。     

摩尔定律不惑之年——两个诺贝尔奖

摩尔曾经为晶体管发明人之一Wiliam B.Shochley而工作。Shlckley设计的晶体管比共同发明人贝尔电话实验室的John Bardeen和Walter Bsttain在1947年设计的晶体管更易于制造，但Shockley于1956年荣获了诺贝尔物理奖后就放弃了最初制造廉价的硅晶体管的理想目标。     

混合硬盘性能几何？——三星和希捷新型混合硬盘测试

在第10期《评测与体验》栏目中,我们最快传递了PC World实验室[美]对纯闪存硬盘（SSD）的测试报道;这次,我们同样以最快速度将混合硬盘的测试报道编译给读者朋友们。     

氮、硅掺杂对煤基碳纳米管电子性质和杨氏模量的影响研究

近年来以煤为原料制备获得碳纳米管已经在实验室中得以实现,这开拓了碳纳米管低成本制备的途径。然而,煤基碳纳米管中氮、硅等原子掺杂对于碳管结构和功能性质影响的研究仍然相对较少。本研究使用基于第一性原理的自洽场晶体轨道法对硅、氮原子掺杂的(6,6)碳管进行研究。探讨硅、氮原子掺杂对碳纳米管电子性质和杨氏模量的影响。研究发现,氮原子和硅原子取代掺杂缺陷的形成在能量上是不利的,尤其对于硅掺杂。能带结构的计算表明,氮掺杂碳管显示金属导电性,而硅掺杂碳管发生了金属/半导体性质的转变,为半导体。杨氏模量的结果暗示,氮掺杂可以增强煤基碳管的力学性能。     

多孔硅的Ⅰ-Ⅴ特性及NO2气敏特性研究

采用双槽电化学腐蚀法在p＋单晶硅表面制备多孔硅层,然后在多孔硅表面沉积形成Pt薄膜电极,制备出多孔硅气敏元件样品。利用SEM技术分析多孔硅的表面形貌,研究了腐蚀条件对多孔硅的孔隙率、横向Ⅰ-Ⅴ特性及低浓度NO2气敏特性的影响。结果表明,多孔硅的横向Ⅰ-Ⅴ特性表现出非整流的欧姆接触;多孔硅的孔隙率及其对低浓度NO2的灵敏度均随腐蚀电流密度的增大而增加。当腐蚀电流密度为90mA／cm^2,腐蚀时间为30min时．所得多孔硅气敏元件对体积分数为200&#215;10^-9的NO2的灵敏度可达到5．25,响应时间与恢复时间约分别为14min与10min。     

微米尺度温差测试结构的研究

微米尺度热学性能测试需要在微米尺度内产生稳定的温度场并准确测量温差,对此设计并制作了一种微米尺度温差测试结构。当在测试结构的加热电极施加0.1,0.2,0.3,0.4,0.5V的电压时,测得实验室制作的硅纳米线两端温差分别为7,23,47,78,109 K,与ANSYS仿真结果大致吻合;此外,利用该测试结构测得硅纳米线塞贝克系数为4.24×10-4V/K,与文献中硅材料一致。测试结果表明:该结构能够提供稳定的温度场并精确测量温差,满足微米尺度温差测试的基本要求。     

碱性水田土壤施用硅肥的效应

选取碱性水田土壤,采用盆栽试验的方法,研究了施用硅肥后水稻生育期土壤溶液pH、Eh、硅浓度及对水稻产量的影响。结果表明,各处理pH经历了一个迅速降低,趋于中性的过程。单施硅肥对pH影响不大;施用葡萄糖或葡萄糖与高炉渣配施可明显降低水稻生育前期土壤溶液pH。各处理Eh的变化基本呈现为近似“W”形。淹水初期,施肥各处理土壤Eh均低于对照;后期施硅处理的Eh高于对照,而单施葡萄糖和高炉渣与葡萄糖配施处理Eh低于对照。各处理土壤溶液硅的浓度都经历了一个先上升达到高峰,然后逐渐下降,最终趋于稳定的过程。与对照相比,施用硅肥可不同程度地提高水稻生育期土壤溶液硅的浓度和不同生育期水稻植株含硅量;施用葡萄糖可提高水稻营养生长期土壤溶液中硅的浓度,但对提高水稻植株硅含量的作用不大;施用硅肥可以显著提高水稻产量,施用葡萄糖没有增产作用。     

线型聚(N-杂环化)硅烷体系的电子结构与光谱性质的比较研究

用密度泛函理论(DFT)和含时密度泛函理论(TD-DFT)对线型(N-杂环化)硅烷低聚体系与简单聚硅烷的电子结构和吸收光谱性质进行了比较研究。对各体系的基态分子结构在B3LYP/6-31G**水平上进行了全优化,讨论了电荷分布和前线分子轨道性质。在获得基态稳定构型的基础上,应用含时密度泛函理论计算了电子吸收光谱的性质。计算结果显示,当主链硅原子被氮杂环环化后,由于空间位阻作用使相邻硅硅键明显伸长,使主链结构变得松散。但同时改善了分子主链的电子离域范围,增强了分子结构的可塑性。随着氮杂环数目的增加,低聚硅烷的电子吸收光谱发生明显的红移。氮杂环的引入对聚硅烷的最大吸收光谱带影响非常大。     

植物硅素营养与土壤硅素肥力研究现状和展望

硅作为重要的植物营养元素,近年来越来越受到人们的关注。本文从植物对硅的吸收及硅在植物体内的输送和分布、硅素在提高植物抗病虫害能力和增强植物抗逆性上的作用、影响土壤硅素肥力的因素以及硅素肥料的施用技术等几个方面,对土壤硅素肥力及植物硅素营养的研究进展进行了综述,并对今后一段时间该领域的研究趋势做了展望。     

辽宁省水稻生产中硅肥施用技术的研究Ⅱ水溶性硅肥偏硅酸钠的施用技术

田间试验结果表明,施用硅肥可明显提高水稻植株体内SiO2含量;除水浸态硅含量高于85mgkg-1的沈阳市苏家屯区的水稻土外,施用硅肥显著能够提高水稻的产量;根据硅肥用量和水稻产量的关系方程,结合施硅各处理水稻植株体内SiO2的含量,供试地区比较合理的硅肥施用量为200kghm-2;施用硅肥能够在一定程度上提高水稻籽粒中粗蛋白的含量。     

热激励谐振式硅微结构压力传感器闭环系统

讨论了一 执 式硅微结构压力传感器闭环系统。该谐振式硅微结构压力传感器以方形硅膜片作为一次敏感元件;硅梁作为二次敏感元件。在硅梁谐振子的中部设置一电阻,作为热激励单元;在梁的要部设置一压敏电阻,作为拾振单元。基于该夺式硅微结构压力传感器敏感机理,分析了信号的相互转换,给出传感器闭环系统实现的条件。     

科技部新一轮实验室评估工作启动

根据新颁布的《国家重点实验室评估规则》,国家重点实验室每五年评估一次。2004年将开始新一轮实验室评估,各学科评估时间为:2004年,化学;2005年,数理和地球科学;2006年,生命科学;2007年,信息科学;2008年,材料科学和工程科学。科技部新一轮实验室评估工作启动