Bi_2Sr_2CaCu_2O_（y－x）F_x超导体的正电子寿命研究

室温下测量了Ｂｉ２Ｓｒ２ＣａＣｕ２Ｏｙ－ｘＦｘ超导体的正电子寿命和掺Ｆ量的关系．结合临界温度Ｔｃ的测量．研究了Ｆ在样品中替换Ｏ的位置．以及由此引起的样品电子结构的变化．研究表明．当ｘ＝０．４时．Ｆ主要替换Ｓｒ－Ｏ面的Ｏ．并使Ｓｒ－Ｏ面的电子向Ｃｕ－Ｏ面和Ｂｉ－Ｏ层迁移。     

YBa2Cu3—xSnxOy超导体系的正电子寿命谱研究

研究了Ｓｎ作Ｃｕ位元素替代的ＹＢａ２Ｃｕ３－ｘＳｎｘＯｙ超导体系（ｘ＝０－１．５）的正电子寿命谱，计算了局域电子密度和缺陷浓度的变化，发现了存在于高浓度替代区域（ｘ＝０．８－１．０）的正电子湮没特征，讨论了对超导电性的影响以及相应的物理机制。     

YBa_2Cu_（3－x）Sn_xO_y超导体系的正电子寿命谱研究

研究了Ｓｎ作Ｃｕ位元素替代的ＹＢａ２Ｃｕ３－ｘＳｎｘＯｙ超导体系（ｘ＝０－１．５）的正电子寿命谱，计算了局域电子密度和缺陷浓度的变化；发现了存在于高浓度替代区域（ｘ＝０．８－１．０）的正电子湮没特征；讨论了对超导电性的影响以及相应的物理机制。     

氧化物光学碱度与正电子寿命关系的研究

对快速激冷（冷速＞１８０Ｋ·ｓ－１）９９Ｎ８２Ｏ－Ｂ２Ｏ３熔盐、Ｂ２Ｏ３、ＳｉＯ２、Ｖ２Ｏ５和Ｎａ２Ｏ－ＴｉＯ２熔盐的正电子湮没寿命谱作了测定。结果表明：非过渡金同氧化物的光学碱度Ａ与相应的正电子寿命谱第一组分τ１有很好的线性关系Ａ＝０．１７３τ－１＋０．０６０．据此求得过渡金属氧化物ＺｎＯ、ＴｉＯ２和Ｖ２Ｏ５的Ａ实验值分别为１．００、０．６３和０７５。     

高温超导外延薄膜YBα_2Cu_3O_(7-x)中空位型缺陷的低能正电子寿命研究

利用脉冲低能正电子束系统测量了脉冲激光沉积法、磁控溅射法和多源共蒸法制备的高温超导外延薄膜ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ的低能正电子寿命谱。结果表明。除块材中普遍存在的正电子浅捕获中心外，还大量含有块材中缺乏的正电子探捕获中心，并且其尺度随温度的降低而长大。脉冲激光沉积法制备高温超导外延薄膜ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ的正电子寿命和沉积条件（衬底温度及空气分压）的关系研究表明，这种深捕获缺陷的种类与沉积条件无关，而缺陷浓度随衬底温度的降低及空气分压增高而增加     

非晶态FeCuNbSiB系合金结构缺陷的正电子湮没研究

通过测量不同温度下退火的非晶合金Ｆｅ７３．５Ｃｕ１Ｎｂ３Ｓｉ１３．５Ｂ９和Ｆｅ７３．５Ｃｕ１Ｎｂ１．５Ｍｏ１．５Ｓｉ１３．５Ｂ９的正电子湮没有寿命谱，配合Ｘ射线衍射分析，研究了非晶合金结构缺陷随退火温度的变化。结果表明，非晶合金中存在两种类型的自由体积。正电子湮没有寿命随样品退火温度的变化曲线对应着结构弛豫，局域晶化和完全晶化阶段。     

非晶合金Fe_（73．1）Cu_（1．2）Nb_（3．2）Si_（12．5）B_

采用Ｍ　ｓｓｂａｕｅｒ效应和ＸＲＤ分析方法研究了非晶合金Ｆｅ７３．１Ｃｕ３．２Ｎｂ３．２Ｓｉ１２．５Ｂ１０．０的晶化。实验表明，该非晶合金有两个晶化阶段。在第一阶段晶化后，样品主要由ＤＯ３型的ａ—ＦｅＳｉ合金的超细颗粒和作为晶界的非晶相两部分组成。随着退火温度的上升，晶化相的含量增加，非晶相含量减少、在第二阶段晶化后，残余的非晶相就晶化为Ｆｅ２Ｂ和Ｆｅ２３Ｂ６化合物以及可能为Ｆｅ－Ｎｂ－Ｂ之类的顺磁相。     

高温超导外延薄膜YBa2Cu3O7—x中空位型缺陷的低能正电子寿命研究

利用脉冲低能正电子束系统测量了脉冲激光沉积法，磁控溅射法和多源共蒸法制备的高浊转眼上延薄膜ＹＢａＣｕ３Ｏ７－ｘ的低能正电子寿命谱，结果表明，除块材中普遍存在的正电子浅捕获中心，还大量含有块材中缺乏的正电子深捕获中心，并且其尺度随温度的降低而长大。脉冲激光沉积法制备高温超导外延薄膜ＹＢａ２Ｃｕ３Ｏ７－ｘ的正电子寿命和沉积条件（衬底温度及空气分压）的关系研究表明，这种深捕获缺陷的种类与沉积条件有关，而     

非晶合金Fe73.1Cu1.2Nb3.2Si12.5B10.0晶化的Mossbauer研究

采用Ｍｏｓｓｂａｕｅｒ效应和ＸＲＤ分析方法研究了非晶合金Ｆｅ７３．１Ｃｕ１．２Ｎｂ３．２Ｓｉ１２．５Ｂ１０．０的晶化。实验表明，该非晶合金有两个晶化阶段。在第一阶段晶化后，样品主要由ＤＯ３型的α－ＦｅＳｉ合金的超细颗粒和作为晶界的非晶相两部分组成。随着退火温度的上升，晶化相的含量增加，非晶相含量减少。在第二阶段晶化后，残余的非晶相就晶化为Ｆｅ２Ｂ和Ｆｅ２３Ｂ６化合物以及可能为Ｆｅ－Ｎｂ－Ｂ之类的顺     

正电子湮没寿命与BaF_xCl_（2－x）：Eu~（2＋）中缺陷的关系

讨论了光激励发光材料ＢａＦｘＣｌ２－ｘ：Ｅｕ２＋中的缺陷与正电子湮没寿命的关系．通过实验结出随着ｘ值的改变即Ｆ／Ｃｌ比值的变化对形成Ｆ色心的影响，并且给出了ｘ值与Ｆ色心的种类与浓度的关系．     

用正电子寿命谱研究铋系超导体的结构不稳定性

室温下测量下铋系２２１２相超导体的正电子寿命参数随时间的变化，发现正电子寿命，平均寿命和体寿命都随着时间的延长而减小，直到１３０天以后各个正电子寿命参数才稳定，这就明氧化物超导即使在室温下也是不稳定的，对由这种结构不稳定性经起的样品的电子结构，氧含量和空穴浓度等的变化进行了讨论。     

La2-xMxCUO4(M=Sr,Ba)体系的正电子湮没研究

为了研究镧系超导体在掺杂为1/8时的超导转变温度反常抑制问题,我们对La2-xMxCuO4(LMCO,M=Sr,Ba,x=0.05,0.10,0.125,0.15,0.2)体系的室温正电子寿命谱进行了系统的测量。观察到了存在于x=0.125附近的电子密度(ne)的峰值响应,并讨论了相应的正电子湮没机制以及和超导电性之间的关系。     

用正电子湮没技术研究新型高临界温度T_c超导材料Ba-Y-Cu氧化物

本文介绍用正电子湮没技术研究了具有高临界温度下T_c的新型超导材料Ba-Y-Cu氧化物。实验发现,在起始转变温度以下,正电子寿命减少与电阻随温度的变化曲线符合。在临界温度T_c处,出现了正电子寿命峰。     

Positron simulations of defects in tungsten containing hydrogen and helium

An understanding of the behavior of defects containing hydrogen or helium in tungsten is an important issue. Here the properties of defects in tungsten containing hydrogen or helium atoms have been investigated by model positron lifetime quantum-mechanical simulations. The electron and positron wave functions have been obtained in the local density approximation to the two-component density-functional theory. The calculated values of the positron lifetime correlate with the magnitude of the electron density. The vacancy-clusters without hydrogen or helium are active positron traps. The lattice relaxation of atoms around vacancy reduces the effective vacancy volume and decrease the positron lifetime at a vacancy. The hydrogen and helium atoms are trapped in tungsten by lattice vacancies and nano-voids. It was established that positron lifetime depends on the density of gas atoms inside the nano-void. Hydrogen and helium presence in the larger nano-voids considerably decrease the positron lifetime.     

色心激光器材料LiF和LiF：（OH）^—的正电子湮没谱研究

对LiF(F_2~+)和LiF:(OH)~-(F_2~+)色心晶体经液氮温度电子束辐照后,在室温下放置不同时刻的正电子湮没谱进行了研究,发现寿命谱中第一、第二成分的相对强度I_1、I_2及Doppler展宽谱中S参数随着F_2~+心的衰减呈有规律的变化,且与辐照剂量有一定关系。     

气溶胶中210Bi对210Po测量结果推算的影响

气溶胶中²¹⁰Pb和²¹⁰Po两者之间浓度处于不平衡状态,被核素²¹⁰Bi隔开,²¹⁰Bi初始活度浓度往往未知,²¹⁰Po活度浓度较难推算到采样初始时刻的量值。本文从理论上分析了²¹⁰Bi对²¹⁰Po测量结果推算影响大小。大多实际情况空气中²¹⁰Po/²¹⁰Pb比小于1,需要考虑空气中²¹⁰Bi/²¹⁰Pb的比值,需在一个月内对²¹⁰Bi进行快速测量,否则无法衡量采样时刻²¹⁰Bi/²¹⁰Pb的大小。建议在初始空气中²¹⁰Bi的活度浓度值未知的情况下,采取短时间采样、快速测量等措施以避免这种误差。     

The positron distribution in a layered stack sample studied with the use of positron lifetime spectroscopy

Computer simulation using GEANT4 codes indicates an enhancement of the fraction of implanted positrons stopped in the denser regions of a layered sample. However, positron lifetime measurements performed for layers of pure aluminum, silver and gold foils do not reveal this effect, indicating instead that backscattering plays an important role in determining the positron implantation profile in layered and/or heterogeneous samples.     

掺杂BaTiO3系PTC材料的正电子湮没研究

采用正电子湮没寿命谱学的方法研究了ＢＳＴｉＯ３系ＰＴＣ材料中掺Ｎｂ５＋、Ｙ３＋及不同掺杂量所引起的缺陷变化，并讨论了不同掺杂对ＰＴＣ效应的影响。