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采用经验紧束缚理论,以类似闪锌矿结构的晶体模型模拟Ge_xSi_(1-x)合金,根据总能最小原则计算了Ge_xSi_(1-x)合金中的键长及点阵常数.同时以紧束缚方法计算了原子位置发生弛豫前后的电子能带结构,并与虚晶近似下的计算结果进行了比较.计算结果表明,Ge_xSi_(1-x)合金中的键长基本上与合金组分无关,各自接近于Ge,Si晶体中的键长,与广延x射线吸收精细结构(EXAFS)测量结果符合得很好.原子位置的弛豫对合金的电子能带结构影响很小,对合金的电子能带结构起主要作用的是合金的化学组分无序. 相似文献
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用分子束外延生长了23周期的GexSi1-x/Si超晶格,用计算机控制的衍射仪(CuKa辐射)测量了X射线衍射曲线,共观察到13级超晶格结构的衍射峰。超晶格的周期和Ge平均含量可以根据考虑折射修正的布喇格定律得出。用光学多层膜反射理论分析衍射曲线可以确定超晶格的结构参数,第2级衍射峰与第一级峰的强度比对应于超晶格两种材料的相对厚度变化非常灵敏,通过比较实验和计算的I2/I1值,可以确定Si,GexSi1-x层的厚度以及合金组份x。用光学多层膜反射理谁计算得到的衍射曲线与实验曲线趋于一致。
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采用紧束缚方法对生长在GexSi1-x(001)衬底上的应变GaAs层的价电子能带结构和空穴的三次非线性光学极化率x(3)进行了计算结果表明,由于应变的存在,使GaAs层的空穴有效质量和价带态密度变小,而使偏振方向在(001)面内的三次非线性光学极化率xxxxx(3)变大.
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在Si(100)衬底上用分子束外延在不同的温度下生长了不同组份的GexSi1-x/Si应变层超晶格。用反射式高能电子衍射、X射线双晶衍射、卢瑟福背散射、透射电子显微镜以及Raman。散射等测试方法研究了GexSi1-x/Si超晶格的生长及其结构特性。结果表明,对不同合金组份的超晶格,其最佳生长温度不同。x值小,生长温度高;反之,则要求生长温度低。对于x为0.1—0.6,在400—600℃的生长温度范围能够长成界面平整、
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采用基于原子球近似下线性Mufin-Tin轨道(LMTO-ASA)的平均键能计算方法,研究了以ZnSxSe1-x为衬底,沿(001)方向外延生长的应变层异质结ZnS/ZnSe、ZnS/ZnSxSe1-x和ZnSe/ZnSxSe1-x的价带带阶值ΔEv(x).研究表明,ΔEv(x)值随衬底合金组分x单调变化。且两者的关系是非线性的。在此计算结果与其它理论计算和实验结果符合较好。 相似文献
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采用经验的紧束缚方法对生长在Si(001)衬底上的应变合金GexSi1-x的光学常数进行了计算。应变对电子能带结构的影响,通过紧束缚参数随键角方向余弦的变化以及键长按经验的标度定则的变化而进行计算。其中标度指数根据对Ge和Si的畸变势常数的实验值进行拟合而确定。计算介电常数虚部时出现的动量矩阵元,根据对Ge和Si的介电常数虚部的实验曲线拟合而决定。列出了当x=0.2和1时的光学常数——介电常数虚部ε2、折射率n、吸收系数α和反射率R的计算结 相似文献
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室温下在单晶Si中注入(0.6—1.5)at%的C原子,部分样品在C离子注入之前在其中注入29Si+离子产生损伤,然后在相同条件下利用高温退火固相外延了Si1-xCx合金,研究了预注入对Si1-xCx合金形成的影响.如果注入C离子的剂量小于引起Si非晶化的剂量,在950℃退火过程中注入产生的损伤缺陷容易与C原子结合形成缺陷团簇,难于形成Si1-xC关键词:
离子注入
固相外延
1-xCx合金')" href="#">Si1-xCx合金 相似文献
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室温下在单晶Si中注入(0.6—1.5)%的C原子,利用高温退火固相外延了Si1-xCx合金,研究了不同注入剂量下Si1-xCx合金的形成及其特征.如果注入C原子的浓度小于0.6%,在850—950℃退火过程中,C原子容易与注入产生的损伤缺陷结合,难于形成Si1-xCx合金相.随注入C原子含量的增加,C原子几乎全部进入晶格位置形成Si1-xCx
关键词:
1-xCx合金')" href="#">Si1-xCx合金
离子注入
固相外延 相似文献
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The structural and electronic properties of the ternary SixGe1?xC alloys have been calculated using the full-potential linear muffin-tin-orbital (FP-LMTO) method based on density functional theory within both local density approximation (LDA) and generalised gradient approximation (GGA). The calculated equilibrium lattice constants and bulk moduli are compared with previous results. The concentration dependence of the electronic band structure and the direct and indirect band gaps are investigated. Using the approach of Zunger and co-workers, the microscopic origins of the band gap bowing are investigated also. Moreover, the refractive index and the optical dielectric constant for SixGe1?xC are studied. The thermodynamic stability of the alloys of interest is investigated by means of the miscibility. This is the first quantitative theoretical prediction to investigate the effective masses, optical and thermodynamic properties for SixGe1?xC alloy, and still awaits experimental confirmations. 相似文献
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使用分区变分法计算了GaAs,GaP和GaAsxP1-x合金的能带。鉴于原胞内包含不同的原子,依据实际原子的大小,对不同原子球选用了不同的半径。晶体势用相应原子势的迭加势来计算。考虑到组成晶体时原子势场由于电子成键而产生畸变,因而在球外成键区选用了一些调整参数来调整势场,然后再用解析表式来逼近这种调整原子势。适当地选择调整参数使算得的能带同已知的实验值接近。对GaAs和GaP已算得了同实验结果符合的能带结构。使用所得的调整原子势进一步计算了GaAsxP1-x合金的能带。
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R. Turan B. Aslan O. Nur M.Y.A. Yousif M. Willander 《Applied Physics A: Materials Science & Processing》2001,72(5):587-593
We have studied the effect of the strain relaxation on the band-edge alignments in a Pt/p-Si1-xGex Schottky junction with x=0.14 by internal photoemission spectroscopy and current–voltage measurements. We have shown that
the variations in the band-edge alignments can be observed directly by measuring the optical and electrical properties of
a simple Schottky junction. The strain in the Si1-xGex layer has been partially relaxed by thermal treatments at two different temperatures. The degree of relaxation and other
structural changes have been determined by a high-resolution X-ray diffractometer. Both optical and electrical techniques
have shown that the barrier height of the Pt/Si0.86Ge0.14 junction increases with the amount of relaxation in the Si1-xGex layer. This shows that the valence-band edge of the Si1-xGex layer moves away from the Fermi level of the Pt/Si1-xGex junction. The band-edge movement results from the increase in the band gap of the Si1-xGex layer after the strain relaxation. This result agrees with the theoretical predictions for the strain-induced effects on
the Si1-xGex band structure.
Received: 18 October 2000 / Accepted: 19 December 2000 / Published online: 23 March 2001 相似文献