空位掺杂La(1-χ)2/3Ca1/3MnO3的结构及磁电阻效应

利用标准的固相反应法在1 200 ℃烧结了La(1-χ)2/3Ca1/3MnO3(χ=0,0.02,0.04,0.08,0.10)样品,冷却后,取出部分在1 350 ℃进行再烧结.利用X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)对其晶体结构及表面微观结构进行了研究.X射线衍射测量分析表明样品均为单相,单胞仍然具有正交对称性结构(空间群为Pnma),随着掺杂浓度的增加,晶格常数和晶胞体积逐渐减小.通过扫描电镜研究表明,样品随着掺杂浓度增加,晶粒逐渐增大,均匀性变好;样品在1 350 ℃再烧结条件下,平均粒度要大,空隙度变小.样品随着掺杂浓度的增加,电阻在逐渐增大,磁电阻在逐渐减小.     

空位掺杂La（1—x）2／3Zn1／3MnO3化合物的结构及微观机制

利用X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)对La(1-x)2/3Zn1/3MnO3结构及表面形貌进行了研究。X射线衍射测量分析表明空位掺杂后,样品的主相仍然是钙钛矿结构(Pnma),其晶体对称性不会随空位浓度的增加而改变。随着空位掺杂浓度的增加,样品的晶格常数增大,体积膨胀。当空位掺杂浓度x≤0.04时,该材料致密度较大;随着空位掺杂浓度继续增加,该材料致密度又逐渐变小。     

空位掺杂La（1-x）2／3Ca1／3MnO3的结构及磁电阻效应

利用标准的固相反应法在1200℃烧结了La(1-x)2/3Ca1/3MnO3(x=0,0.02,0.04,0.08,0.10)样品,冷却后,取出部分在1350℃进行再烧结。利用X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)对其晶体结构及表面微观结构进行了研究。X射线衍射测量分析表明样品均为单相,单胞仍然具有正交对称性结构(空间群为Pnm a),随着掺杂浓度的增加,晶格常数和晶胞体积逐渐减小。通过扫描电镜研究表明,样品随着掺杂浓度增加,晶粒逐渐增大,均匀性变好;样品在1350℃再烧结条件下,平均粒度要大,空隙度变小。样品随着掺杂浓度的增加,电阻在逐渐增大,磁电阻在逐渐减小。     

Ti-Mo合金氢化物原位脱氢的相变研究

目的 研究Ti-Mo合金氢化物在原位退火中相变行为,分析Ti-Mo合金氢化物原位退火中的结构变化.方法 利用X射线原位衍射对不同成分的Ti-Mo合金的氢化物在退火过程中的相变用Rietveld法进行了分析.对晶格参数、微观应变在退火过程中的变化用Rietveld法程序进行了计算.对部分样品进行了透射电镜分析.结果 Ti-Mo合金饱和充氢后形成面心立方6相氢化物,在升温过程中转变为体心立方β相固溶体.随着温度升高,δ相与β相的晶粒尺寸和微观应变基本上都经历逐渐增大然后又变小的过程.在相转化的同时,δ相与β相的晶格参数基本随温度的升高而减小.衍射峰形和峰位存在各向异性展宽和位移.结论 用X射线原位衍射结合Rietveld法得到了Ti-Mo合金氢化物的相变信息.δ相氢化物存在广泛的位错和层错(孪晶).一些样品在退火中同时出现两个不同晶格参数的β相.     

Zn掺杂对GdMnO体系的晶体结构影响

系统研究了Gd（1-x）ZnxMnO3（x=0,0.2,0.4,0.6,0.8,1.0）体系的结构。结果表明,实验样品具有正交对称性结构。当Zn掺杂浓度x≤0.4时,随着Zn掺杂浓度的增加,晶格常数b、c减小,而晶格常数a增大,晶胞体积逐渐减小;当掺杂浓度x≥0.6时,Zn掺杂浓度的增加,晶格常数b、c增大,而晶格常数a减小,晶胞体积逐渐增大。计算表明Gd（1-x）ZnxMnO3系列化合物的容忍因子在0.76~0.92范围,可以形成稳定的钙钛矿结构。     

垂直腔面发射激光器材料的X射线双晶衍射分析

利用X射线双晶衍射方法,测定了垂直腔面发射激光器(VCSEL)材料的衍射回摆曲线,除了主衍射峰("0"级衍射峰外),还观察到一级和二级卫星峰.同时对实验样品的双晶衍射回摆曲线中衍射峰的劈裂现象进行了理论分析."0"级衍射峰半高宽与衬底GaAs的衍射峰半高宽比较接近,表明晶格具有很高的完整性.由这些衍射峰之间的角距离,计算出了VCSEL材料的周期D及Al含量x值.X射线双晶衍射结果表明生长所得结构与设计相符合.     

叠轧法深度塑性变形铜组织的研究

用X-射线衍射分析法检测了异步叠轧和同步叠轧制备变形量不小于98.4%纯铜样品的变形织构、残余应力、位错密度、晶格点阵常数和晶粒大小,测试了加工态样品的维氏硬度.结果表明,异步叠轧铜变形织构是剪切织构{100}<011>,同步叠轧铜的变形织构是铜织构{112}<111>;异步叠轧和同步叠轧对晶粒大小、位错密度、微观应变、晶格点阵常数和硬度等没有显著影响;硬度、残余应力、位错密度、晶格点阵常数和晶粒大小随变形量的增大分别趋向一个常数.这暗示无限叠轧不能无限地细化晶粒.     

热电材料Ag0.8Pb18SbTe20-xSex的高压制备与性能

采用高压合成技术,制备了热电材料Ag0.8Pb18SbTe20-xSex(x=0,5,10,15)。研究了合成压力及Se含量对其结构和热电输运性质的影响。X射线衍射测试发现,Ag0.8Pb18SbTe20-xSex样品具有单相的NaCl结构,晶格常数随Se含量的增大而减小。室温下的测试结果表明,高压和置换Se对AgPb18SbTe20电学性质的影响作用相似,随合成压力及x的增大,Ag0.8 Pb18 SbTe20-x Sex的电阻率及赛贝克(Seebeck)系数降低。4 GPa高压合成的Ag0.8 Pb18SbTe20-xSex(x=10)样品具有较高的功率因子(18.90μW.cm-1.K-2),同时其热导率较低(1.35 W.m-1.K-1),室温下其最大的品质因子ZT值高达0.40。     

锗／硅短周期超晶格的X射线双晶衍射研究

用X射线双晶衍射对气源分子束外延(GS-MBE)制备的锗／硅短周期超晶格(SPS)样品进行了分析．所有样品的锗层厚度固定为1．5单原子层,而硅层厚度为1．4～3．8nm．对于硅层厚度小于2．4nm的样品来说,双晶衍射摇摆曲线中由超晶格引起的衍射峰较宽,而且看不到干涉引起的精细结构,这表明超晶格中可能存在位错及界面不平整．对硅层较厚(＞2．9nm)的样品,摇摆曲线中超晶格引起的衍射峰很窄,而且有明显的由干涉产生的精细结构,表明此时超晶格的质量较高,界面平整．对硅层厚度为2．1～2．9nm的样品,超晶格对应的衍射峰可以分解为两个宽度不等的子峰,但没有精细结构出现．这个区间与文献[1]报道的在荧光光谱发现的一个异常带出现区间完全相同．本实验的X射线双晶衍射测试与分析结果支持文献[1]提出的此异常带与局部应力场引起的外延层呈波浪状扭曲有关的结论。     

稀土磁致冷Gd5Ge2(Si2-xMnx)化合物的结构及微观机制

利用X射线衍射和扫描电镜对Gd5Ge2(Si2-xMnx)结构及表面形貌进行了研究.并利用差示量热法对Gd5Ge2(Si2-xMnx)的磁热性能进行了研究.x射线衍射(XRD)测量分析表明Mn的替代不会影响母体Gd5Si2Ge2的晶体结构,样品中的主相仍然具有单斜结构(P1121/a),其晶体对称性不会随Mn含量的增加而改变.随着Mn含量的增加,晶粒逐渐变大,晶常数增大,体积膨胀,同时Mn和杂质相的析出量也在增加.少量的Mn元素替代Si可以提高Gd5Si2Ge2化合物的居里温度.