电子轰击材料出气性能

固体材料在大气中会溶解、吸附一些气体,当材料置于真空环境下,就会因气体解溶、解吸、电子轰击等而发生放气。电真空微波器件广泛应用于加速器、卫星通信、可控热核聚变、全球定位及未来军事前沿的高功率微波武器等方面,其制造过程中非常关键的步骤是真空获得。为提高微波电真空器件研制过程中的管内真空水平,本文研制了高精度真空材料放气测试装置。系统采用小孔流导法测试出气率,极限真空低于5.0×10~(-7)Pa。利用本装置进行了电子轰击材料出气的试验研究。实验表明无氧铜在脉冲电子束轰击下出气速率与电压、频率、脉宽成正比;电子轰击的材料暴露大气后,在电子束轰击下出气速率在短时间内迅速降低到以前的放气率水平。采用四级质谱仪对电子轰击时真空室内的残余气体成分进行了分析,其主要成分为H_2(2),其它成份依次为H_2O(18),N_2(28),和CO_2(44)。对电子轰击材料出气机理进行了分析。金属电离规管进行的电子轰击除气实验研究也证明了这些实验结果。因此利用热阴极或电子枪作为电子发射源,对微波电真空器件收集极、阳极等金属材料进行电子轰击除气,将是制造长寿命高可靠微波电真空器件所必要且可行的方法。     

长寿命国产电子轰击炉电子枪

电子枪是电子轰击炉的核心部件，它的性能好坏直接影响电子轰击炉的效率。由一直从事电子轰击炉工作的廖志秋先生设计、北京有色金属研究总院自行研制的电子轰击炉专用磁聚焦电子枪于１９７２年研制成功，１９８９年获国家专利（专利号８８２０１５１６．８）。该电子枪安...     

电子轰击镀膜和沉积速率的测定

本文提出一种电子轰击镀膜的方法。该方法能在一些特殊零件上得到牢固性好的薄膜。并能控制蒸发分子来沉积在样品夹具上，较好的防止了蒸发分子束对蒸发室的污染。这种方法还可测量出蒸发过程中的沉积速率。     

电子轰击离子源脉冲离化电子流的测量

本文讨论了脉冲测量技术在飞行时间质谱计电子轰击离子源中测量脉冲离化电子流的应用 ,分析了平均电流测量方法测量脉冲离化电子流的局限性 ,给出了实际的脉冲测量电路     

MeV重离子轰击引起金属膜抗蚀性的研究

对以Ｎ型硅为基底的 Ｃｕ、Ｓｎ和 Ａｕ膜用能量 ２．０～４．５ＭｅＶ的 Ｃｌ＋＋离子进行了 轰击。酸液浸泡实验表明，当 ＣＩ＋＋离子注入剂量达到 ５×１０１５／ｃｍ２时，轰击区薄膜耐酸腐蚀能力发生突变。对这种突变的原因给出了一种初步的、定性的解释。     

用于微光摄像的高灵敏度电子轰击电荷耦器件

文章综述微光成像的电子轰击电荷耦合器件（EBCCD）的进展。EBCCD是将像管的荧光屏以对电子灵敏的背照明、减薄CCD代替,将电子图像直接转变为视频信号,其在所有光照等级下,特别是在极低微光下的调制传递函数（MTF）、分辨力、信噪比、余辉等均优于像增强器耦合CCD（ICCD）。文中较为详细地叙述了倒像式EBCCD设计与减薄工艺,给出各种类型倒像式EBCCD像管的技术参数,分析和比较了近贴式与倒像式EBCCD与ICCD的性能,指出了EBCCD在军用夜视技术与民用技术未来发展中的地位与重要性。     

对1000kw电子轰击炉的氦质谱检漏

一、前言　　　　　　我们根据我国现有的检漏方法和仪器,　　决定试图摸索出用氦质谱检漏仪对大型金属　　真空设备进行检漏的一点经验,为解决当前　　真空冶金中急待解决的真空检漏做点有益工(作。我们在我国自行设计和制造的1000　kw电子轰击炉上进行了实际操作和试验,实践　　证明:效果较好,基本上达到预期目的。　　　　二、需要解决的几个问题　　　　　　众所周知,氦质谱检漏仪的检漏灵敏　　度是很高的,出厂指标都在　　10～10　　托·升/秒范围内(在最佳工作条件下),质　　谱室的工作压强一般都为2×10托,仪器　　的使用与维护较其…     

衬底的电子轰击清洗：灯丝负偏压的影响

在高真空室里利用从灯丝发射出来的电子轰击带正（１～２ｋＶ）的基体是一个对衬底除气的常用方法。为了增强清洗作用，给灯丝再加了不同的负偏压（０～１００Ｖ）测量了基体电流，灯丝电流随灯丝偏压的变化曲线。得出灯丝较合适偏压为５０Ｖ，轰击时间为１０ｍｉｎ。     

电子能谱法研究CuBe(O)二次电子发射体

利用PHI-550型多功能电子谱仪研究了Cu-Be合金活化后的CuBe(O)样品。结果表明:(1)Cu-Be合金活化后,表面生成较为纯净的BeO层。氧化使得ESCA Be 1 S峰由111.6eV(电子结合能)移至113.6eV,使得Be KLL Auger峰由104eV(电子动能)移至约93eV;(2)Cu、Be组分在活化过程中均通过初始界面向外迁移,但二者机制有别;(3)BeO膜在电子束轰击下有解离发生。此外,利用不同能量电子的逃逸深度差,测算出800℃活化样品的BeO膜厚度约为24(?)。     

电子辐照介质材料二次电子发射系数与能谱测量数据库

电子辐照电介质材料的二次电子发射特性是影响各类真空电子器件与设备性能的重要参数,本文对电子束辐照下二十余种常用的典型介质材料的二次电子发射特性进行了实验测量研究.采用收集极负偏压法测量二次电子发射系数(SEY),通过给二次电子收集极加载不同的偏压来引导二次电子的运动,实现对积累电荷的中和,实验获得了介质材料的SEY随着...     

电子轰击式离子推进器排气羽流的污染影响

离子推进器系统由离子推进器、电源处理机、推进剂贮箱和输送系统三部分组成。离子推进器要完成使推进剂电离、加速电离后的离子流、中和高速喷出的离子束流的工作。它由放电室、加速室(离子引出系统)、中和器等组成。由于电离方法的不同,离子推进器分为接触式和电子轰击式。接触式离子推进器中推进剂一般为铯;轰击式离子推进器目前主要用汞,也有用铯和惰性气体作推进剂的。由于铯接触式离子推进器的空间飞行试验结果不理想,现在主要发展以汞为工质的电子轰击式离子推进器。其结构原理如图1所示。     

用于电子轰击式汞离子推力器空心阴极的实验研究

本文叙述了空心阴极在电子轰击式汞离子推力器中的功能、推力器对空心阴极的要求。给出了阴极材料、结构、工艺及某些实验结果:即空心阴极的真空发射性能;阴极的放电形式及其伏安特性;阴极点火电压与阴极温度及通过阴极汞流率的关系,稳定放电时离子轰击阴极的加热特性。     

多弧涂层技术的轰击清洗和轰击加热

本文仅就多弧氮化钛涂层技术，以金属晶格理论、金属热电子学说和粒子间碰撞等理论，简述轰击清洗和轰击加热的作用及在实际生产中的应用。     

基于相空间方法的电子轰击离子源参数对其性能影响的研究

本文首先利用离子光学模拟软件SIMION7.0,对自制的电子轰击离子源(EI)进行模拟试验,获得离子在EI内的运动参数,包括位置、速度。随后,利用相空间方法,分析EI各参数对其性能的影响,包括各电极电压对聚焦效果以及出射速度分散程度的影响,并最终获得EI各参数对离子源发射度的影响。本文的研究能够指导EI的理论设计,使其参数得到最优化,从而改善EI的性能,以实现EI与质量分析器最佳连接。     

抑制二次电子发射方法的研究

电介质和金属表面被激发出来的二次电子(Secondary electron emission,SEE)可以显著地改变该表面附近的电势分布和通量.在一些情况下,如电子束焊机、扫描电子显微镜、透射式电子显微镜、电子衍射仪、俄歇电子能谱仪、电子倍增管等应用中,二次电子的次级倍增效应得到很好的应用.然而在另一些情况下,例如射频放大器、粒子加速器和霍尔推进器、电子真空管、空间宇宙飞行器表面等应用中,二次电子会对仪器产生不利的影响.因此,抑制二次电子发射及研究减少二次电子产额(Secondary electron yield,SEY)是非常有意义的.现有的抑制二次电子发射的研究方法有外加偏置场法和表面处理法,其中通过外加电场或磁场来抑制二次电子的激发会对入射束流、束斑产生不利影响,因此表面处理法更具优势.表面处理法主要分为三类:表面陷阱构造(矩形以及三角形的凹槽、微孔结构、纤维结构、泡沫结构等)、表面镀膜(石墨烯膜、TiN膜等)、表面束流处理(激光刻蚀、磁控溅射法).这些抑制二次电子激发的方法主要为了达到两个目的,一是减少物体表面的真二次电子的发射,二是捕获发射的二次电子,使之不能逃逸.本文总结了一些抑制二次电子激发的方法,比较不同方法或不同影响因素对二次电子的影响.     

二次电子产额影响因素的研究进展

二次电子发射现象在显微分析、电子倍增、航空航天、高压输电和粒子加速器等中广泛存在,因此开展二次电子的相关研究具有重要的应用价值。本文首先介绍了二次电子的相关背景;随后从入射电子与材料相互作用到最终二次电子产额测量的全过程出发,将影响二次电子产额的因素分成了入射电子性质、材料属性、样品表面状态、测试条件与方法四个大类,并对其进行了文献调研和综合分析;最后总结了目前研究取得的进展,梳理了相关规律,指出了存在的不足之处,探讨了该领域可能的发展趋势。     

电子轰击下Ag_(1-β)(TCNQ)薄膜的相变

在类似于光导摄像管的真空器件中，用Ag1－β（TCNQ）薄膜置换光敏靶，原则上可以做成用电子束写入和读出的高密度存贮器，它的寻址可以用磁偏转或静电偏转系统。本文用实验方法确定了电子束的写入条件，进一步证明这种设想的合理性和可行性。