移动通信用双面高温超导薄膜材料

该材料与传统上使用的Au、Ag、Cu等比较，微波表面电阻低两个数量级，微波无源器件插损可降低一个数量级，可大幅度提高信息接收灵敏度，在移动通信地面接收机站中的关键器件一滤波器上有重要用途（损耗可降至0．2dB），能减小或消除手机通话的盲区，提高通话质量，缩小基站体积，减少基站数量；亦可用于红外阵列器件、磁通流晶体管、约瑟夫逊器件等高灵敏度和高精度电子信息器件中。     

移动通信用双面高温超导薄膜技术

移动通信用双面高温超导薄膜技术拥有两项发明专利。它与传统使用的Au、Ag、Cu等比较,微波表面电阻低两个数量级,所研制的微波无源器件插损可降低一个数量级,大幅度地提高了信息接收灵敏度,在移动通信地面接收基站中的关键器件——滤波器上有重要用途（损耗可降至0．2dB）,减小或消除手机通话的盲区,提高通话质量,缩小基站体积,减少基站数量。亦可用于红外阵列器件、磁通流晶体管、约瑟夫逊器件等高灵敏度、高精度的电子信息系统中。     

900MHZ低噪声晶体管放大器

一、引言微波晶体管放大器的历史也是微波晶体管器件的历史。40年代未,第一只晶体管问世,由于它的显著优点,很快成为固体电子器件的一个重要分支。60年代中期,由于平面外延工艺的发展,晶体管工作频率进入微波频段,相应产生了微波晶体管以及相应的放大器。微波晶体管具有体积小、重量轻、噪声性能较好,频带宽、稳定性好等优点,因此现在它已取代或部分取代了隧道二极管放大器,行波管放大器以及参量放大器。就目前我国来看,     

基于铁磁谐振原理的数字式电流互感器的实现

提出了一种基于铁磁谐振原理的数字式电流互感器的实现途径，其基本思路是应用单昌铁氧化ＵＩＧ在外磁场的作用下其自旋电子产生铁磁谐振且谐振频率与外加磁场的大小成正比的原理、在高电位将无源的ＹＩＧ滤波器置于载流导体电流磁场的有效作用之中，由低电位的信号发生器经微波天线的ＹＩＧ滤波器发送一定频率的信号，该信号经ＹＩＧ滤波器调制后再经微波天线传送给低的信号接收处理装置，经处理后得到用数字量表示的导线电流有效值     

微波晶体管放大器的分析与设计

本文在分析微波晶体管线性有源网络的基础上,详细讨论了微波晶体管放大器的图解设计方法,给出了单级和双级微波晶体管放大器的设计实例与测试结果。文中给出的噪声系数测试系统与噪声系数计算公式便于一般实验室条件下采用。     

基于铁磁谐振原理的数字式电流互感器的实现

提出了一种基于铁磁谐振原理的数字式电流互感器的实现途径，其基本思路是应用单晶铁氧体ＹＩＧ在外磁场的作用下其自旋电子产生铁磁谐振且谐振频率与外加磁场的大小成正比的原理、在高电位将无源的ＹＩＧ滤波器置于载流导体电流磁场的有效作用之中，由低电位的信号发生器经微波天线向ＹＩＧ滤波器发送一定频率的信号，该信号经ＹＩＧ滤波器调制后，再经微波天线传送给低电位上的信号接收处理装置，经处理后得到用数字量表示的号线电流有效值。用这种原理构成的数字式电流互感器具有绝缘性好、抗电磁干扰性强、灵敏度高、动态测量范围大，可同时用来测量直流，交流和脉冲电流以及可靠性高等优点。同时由于这种数字式电流互感器在高电位全部使用无源器件，所以易于实现、方便维护、使用寿命长。     

微波振荡器相位噪声的非线性电流源分析法

提出了一种微波场效应晶体管振荡器相位噪声新的分析方法,该方法利用非线性电流源法分析振荡器基波和各次谐波的稳态响应和相位噪声特性,把稳态响应分析与相位噪声分析有机统一起来,便于微波振荡器综合性能的CAD优化设计。经验证,计算机辅助分析结果与传统分析方法的结果相一致,证明了该方法的正确性     

微波低噪声晶体管放大器设计总结

一、引言近年来我国半导体工业在毛主席革命路线的指引下得到了很大的发展。试制和生产了大量的微波半导体器件,为设计和制造微波晶体管放大器创造了有利条件。微波低噪声晶体管放大器具有频带宽、动态范围大、噪声系数小、相位线性好、稳定可靠、寿命长、耗电省、体积小和重量轻等许多优点。可用于测量仪器、雷达、微波中继通信,     

微波晶体管噪声参数CAT

介绍了一种测量微波晶体管噪声参数的方法,并用矢量网络分析仪和噪声系数测试仪组建了一套自动测试系统。在系统软件的控制下,该系统可对微波晶体管噪声参数进行快速、准确的测量;并给出了部分测试结果,还与厂家典型值进行了比较。     

一种微带准椭圆函数带通滤波器的研制

带有一对传输零点的准椭圆函数滤波器相比切比雪夫型滤波器具备更好的选择性。采用Levy等人提出的一种滤波器近似综合方法,结合微波场仿真软件,实现了对8附准椭圆函数滤波顺的精确设计,加工和实测结果表明了该方法的有效性,完全可以满足工程需求。     

基于光纤环结构的微波光子滤波器

针对微波光子滤波器中光纤环的不同参数和结构,详细分析了不对称耦合比对光纤环构成的滤波器抑制比性能带来的提高,并理论推导和实践了光纤环滤波器的级联.研究发现,基于不对称耦合光纤环结构的微波光子滤波器比基于对称耦合光纤环结构的微波光子滤波器拥有更高的抑制比;从原理上分析了无限脉冲响应（IIR）滤波器级联特性不稳定的原因,并在实验中证明了基于低相干光源的级联滤波器频响稳定性有很大提高;对于基于光纤环结构的微波光子滤波器,无论是单环结构还是级联结构,使用宽带光源作为载波会得到更好的滤波效果,系统的频响也更稳定.     

一种基于曲线拟合的微波滤波器参数提取方法

传统的微波滤波器参数提取方法依赖复杂的优化算法,或不适用于有耗情况.针对该问题,提出了一种新的微波滤波器参数提取方法.首先采用曲线拟合技术提取出滤波器端口的加载相位,并对谐振腔的无载品质因数进行估计,然后根据滤波器的全波仿真数据,利用最小二乘法拟合出其对应的导纳参数,进而得到所需的耦合矩阵.采用该方法对两种复杂结构微波滤波器的仿真数据进行了参数提取,结果吻合良好.     

一种新型X波段TM01模HPM滤波器

本文提出了一种工作在TM₀₁模式下的高功率微波(HPM)滤波器。HPM滤波器主要由圆形波导、TM₀₁-TE₁₀模式转换器和几个基于扇形波导的TE₁₀模式扇形波导滤波器组成。TM₀₁-TE₁₀模式转换器可以将输入的大功率TM₀₁模式电磁波分成多个TE₁₀模式输出微波。平行放置扇形波导滤波器用来提高功率容量。在这种结构中,通过并联更多的滤波器可以实现更高的功率容量。为了验证本文所述设计方法的有效性,给出了一个工作在X波段的HPM滤波器,并进行了数值模拟。仿真结果验证了该方法的有效性。本文提出的HPM滤波器具有体积小、设计简单等优点。通过增加平行放置TE₁₀模式滤波器的数量,该HPM滤波器的功率容量可以继续增加。     

单输入三输出新型通用电流模滤波器

提出了一种新型单输入三输出 (SITO)通用电流模滤波器 ,该滤波器仅由四个 OMA(+ )(Operational mirrored amplifiers)和五个无源器件构成。电路不仅能实现低通、高通、带通、带阻及陷波等各种二阶滤波器功能 ,而且还能实现低通陷波和高通陷波的功能。不需要元件匹配 ,所有无源器件的灵敏度都非常低。文章还给出了相应的 PSPICE仿真的频响结果     

微波固态放大器的机辅分析

本文简述了微波固态放大器在雷达电子系统中所起的重要作用后,比较了微波晶体管放大器、萧脱基壁垒门型场效应管放大器及砷化镓场效应管放大器等的特点,评估了它们的性能,推导了分析和设计微波晶体管及场效应管放大器所需的一系列重要公式,并给出了用FORTRAN77之一种——PSU/WATFIV编写的程序.该程序已在IBM3081机上运行通过,亦可在其它各种常见中小型机器上运行。     

单输入三输出新型通用电流模滤波器

提出了一种新型单输入三输出（SITO）通用电流模滤波器，该滤波器仅由四个OMA（＋）（Oper-ational mirrored amplifiers）和五个无源器件构成。电路不仅能实现低通、高通、带通、带阻及陷波等各种二阶滤波器功能，而且还能实现低陷波和高通陷波的功能。不需要元件匹配，所有无源器件的灵敏度都非常低。文章还给出了相应的PSPICE仿真的频响结果。     

基于SERENADE软件的微波带通滤波器的设计和仿真

论述了应用Ansoft公司的Serenade 8.7微波仿真软件设计微波带通滤波器的方法,并给出了优化仿真结果。试验结果表明,利用此软件的优化结果设计出的滤波器具有良好的滤波性能,而且无需调试,一致性好,适用于工程设计。     

2.4GHz低噪声放大器的研究

低噪声放大器是对来自天线的微伏级信号进行放大的射频接收端的放大模块。该低噪声放大器主要由输入匹配网络、微波晶体管放大器和输出匹配网络组成。匹配网络采用微带线形式建立，微波晶体管采用NPN硅晶体管BFP420。利用Microwave Office进行电路仿真和优化。该放大器满足小信号放大器的指标要求，可以用于射频接入电路的前端。     

低耗模拟电感及其应用

本文用有增益补偿的复合互补的两只晶体管取代Dutta Roy电路的运算放大器,构成低耗有源模拟电感。此模拟电感的主要特点是:电路简单,调整容易,稳定性好,并且导出了控制Q值的定量计算公式,其Q值可以超过1000。从而可以把Q调整到指定数值而便于工程应用。理论和实验结果一致,并利用此模拟电感制成了高通和低通有源滤波器。     

我国研发出无栅极摩擦电子学晶体管

正中国科学院北京纳米能源与系统研究所与清华大学的研究人员合作研发出一种无栅电极的柔性有机摩擦电子学晶体管。研究人员利用一个可移动摩擦层直接与介电层接触起电,实现了对晶体管源漏电流的调控。该器件基于介电层与外部直接接触起电来代替传统栅电极电压的传感机制,能够有效简化晶体管中栅电极的制备