共查询到20条相似文献,搜索用时 14 毫秒
1.
半导体材料Ga2O3是继宽禁带半导体材料SiC/GaN之后新兴的直接带隙超宽禁带氧化物半导体,其禁带宽度为4.5~4.9eV,击穿电场强度高达8MV/cm(是SiC及GaN的2倍以上),物理化学稳定性高,在发展下一代电力电子学和固态微波功率电子学领域具有较大的潜力。自2012年第一只Ga2O3场效应晶体管诞生以来,Ga2O3微电子学的研究呈现快速发展态势。本文综述了β-Ga2O3单晶材料和外延生长技术以及β-Ga2O3二极管和β-Ga2O3场效应管等方面的研究进展,介绍了β-Ga2O3材料和器件的新工艺、新器件结构以及性能测试结果,分析了相关技术难点和创新思路,展望了Ga2O3微电子学未来的发展趋势。 相似文献
2.
提出了一种利用单目视觉识别目标并且进行精确的三维定位,用于机械手对目标的精确定位.首先通过模板匹配的方法在图像中识别出目标并计算其中心坐标,然后分别在相同高度和水平的四个相隔一定距离的位置上采集目标图像,根据目标在图像中的位置变化,结合平行双目视觉原理与小孔成像的缩放比例关系,计算摄像头距离目标的深度距离.该系统易搭建、成本低,定位精度较高. 相似文献
3.
Junwei Chu Fengmei Wang Lei Yin Le Lei Chaoyi Yan Feng Wang Yao Wen Zhenxing Wang Chao Jiang Liping Feng Jie Xiong Yanrong Li Jun He 《Advanced functional materials》2017,27(32)
2D materials, represented by transition metal dichalcogenides (TMDs), have attracted tremendous research interests in photoelectronic and electronic devices. However, for their relatively small bandgap (<2 eV), the application of traditional TMDs into solar‐blind ultraviolet (UV) photodetection is restricted. Here, for the first time, NiPS3 nanosheets are grown via chemical vapor deposition method. The nanosheets thinning to 3.2 nm with the lateral size of dozens of micrometers are acquired. Based on the various nanosheets, a linearity is found between the Raman intensity of specific Ag modes and the thickness, providing a convenient method to determine their layer numbers. Furthermore, a UV photodetector is fabricated using few‐layered 2D NiPS3 nanosheets. It shows an ultrafast rise time shorter than 5 ms with an ultralow dark current less than 10 fA. Notably, this UV photodetector demonstrates a high detectivity of 1.22 × 1012 Jones, outperforming some traditional wide‐bandgap UV detectors. The wavelength‐dependent photoresponsivity measurement allows the direct observation of an admirable cut‐off wavelength at 360 nm, which indicates a superior spectral selectivity. The promising photodetector performance, accompanied with the controllable fabrication and transfer process of nanosheet, lays the foundation of applying 2D semiconductors for ultrafast UV light detection. 相似文献
4.
Thanh-An Truong Tuan Khoa Nguyen Xinghao Huang Aditya Ashok Sharda Yadav Yoonseok Park Mai Thanh Thai Nhat-Khuong Nguyen Hedieh Fallahi Shuhua Peng Sima Dimitrijev Yi-Chin Toh Yusuke Yamauchi Chun Hui Wang Nigel Hamilton Lovell John A. Rogers Thanh Nho Do Nam-Trung Nguyen Hangbo Zhao Hoang-Phuong Phan 《Advanced functional materials》2023,33(34):2211781
Wide bandgap (WBG) semiconductors have attracted significant research interest for the development of a broad range of flexible electronic applications, including wearable sensors, soft logical circuits, and long-term implanted neuromodulators. Conventionally, these materials are grown on standard silicon substrates, and then transferred onto soft polymers using mechanical stamping processes. This technique can retain the excellent electrical properties of wide bandgap materials after transfer and enables flexibility; however, most devices are constrained by 2D configurations that exhibit limited mechanical stretchability and morphologies compared with 3D biological systems. Herein, a stamping-free micromachining process is presented to realize, for the first time, 3D flexible and stretchable wide bandgap electronics. The approach applies photolithography on both sides of free-standing nanomembranes, which enables the formation of flexible architectures directly on standard silicon wafers to tailor the optical transparency and mechanical properties of the material. Subsequent detachment of the flexible devices from the support substrate and controlled mechanical buckling transforms the 2D precursors of wide band gap semiconductors into complex 3D mesoscale structures. The ability to fabricate wide band gap materials with 3D architectures that offer device-level stretchability combined with their multi-modal sensing capability will greatly facilitate the establishment of advanced 3D bio-electronics interfaces. 相似文献
5.
6.
基于机器视觉的杏核图像识别系统设计 总被引:1,自引:1,他引:1
针对杏核分拣效率问题,文中构建了一种基于机器视觉的杏核图像特征检测系统。运用多种数字图像处理技术完成对不同杏核图像的识别,前期基于Matlab完成算法研究,再采用VC++调用Opencv图像处理函数库实现分拣系统软件。经验证,杂质杏核识别率可达94%,有效提高了杏核识别的准确性和时效性。 相似文献
7.
近年来,二维半导体材料因其独特的晶体结构和优良的电子、光电特性吸引了众多科研人员的关注。利用这些材料作为有源沟道,制备出了许多新颖的器件结构,性能较传统器件有很大的提升。在各种器件应用中,基于二维材料的光电探测器由于能够实现红外及太赫兹波段的光探测,得到了最为广泛的研究。综述了近年来二维材料在光电器件领域的应用,介绍了光电探测器的主要参数,从电极制备、异质结构筑、量子点和分子掺杂、表面等离激元耦合以及界面屏蔽5方面介绍了目前在二维材料中调控光电性能的方法,对已有方法进行了总结,并且对未来的发展进行了讨论。 相似文献
8.
9.
传统景象匹配定位方法在用于低空无人机定位时,易因低空航拍图像视场小,且与卫星图像(带有地理信息)的拍摄角度差异大而失败.本文提出了一种基于即时稠密三维重构的无人机视觉定位方法,通过将稠密三维点云与卫星图像匹配以实现无人机定位.首先根据图像序列快速估计摄像机位姿,而后使用多深度图协同去噪与优化算法生成稠密三维点云,随后通过变换观察视角由稠密三维点云生成与卫星图像拍摄视角相近的虚拟视图,最后将虚拟视图与卫星图像匹配并得到无人机的地理坐标.由于稠密三维点云包含多张图像的信息,覆盖面积大,且可变化观察视角,因此能够有效克服上述两个问题.实验证明了本文方法的有效性. 相似文献
10.
以机器视觉技术研究了序列图像中人运动的分割和检测.运动检测过程采用了目标图像和背景图像相减的方法,对差分图像采用了最大熵的指数形式确定二值化的阈值,实验证明获得了良好的检测效果. 相似文献
11.
许多传统螺纹的检测技术工序复杂、效率低、成本高,已不能满足现代工业高效发展的需求.因此要建立一套以机器视觉识别技术为核心的视觉传感和图像处理系统,利用CCD获取螺纹基本图像,并通过数字图像处理技术和模糊模式识别方法对螺纹几何参数进行自动识读并加以识别。 相似文献
12.
介绍了基于DM642平台的嵌入式双目立体视觉平台的硬件构成和驱动程序结构的设计和实现.该系统充分利用DM642芯片在图像处理中的优异性能,克服了传统基于采集卡和PC机的图像处理系统的实时性差,处理精度低,保密性差和扩展性差等缺点,其主要的图像处理工作由DSP实现,并可通过多种途径与PC机交互,大大降低了计算机的负荷.该平台采用面向对象的软件设计思路设计硬件,达到硬件重用的目的. 相似文献
13.
14.
介绍了一种基于结构光和双目视觉的焊缝三维重建方法。该方法利用轮廓点曲率提取激光条纹的轮廓关键点,再由所提取的关键点计算轮廓横截面法向量。并根据激光条纹服从正态分布的特点,借助灰度重心法提取条纹中心线。将焊缝在双目摄像机中的图像坐标点转换为世界坐标点,从而完成焊缝三维空间信息的重建。实验结果证明本文方法快速、准确,可以满足自动焊接机器人系统的应用要求。 相似文献
15.
16.
17.
基于机器视觉的零件尺寸测量 总被引:2,自引:1,他引:2
提出了一种基于机器视觉的非接触测量方案,力求把非接触测量手段与零件尺寸测量问题更有效地结合起来。采用超分辨率重构技术消除噪声以及由有限检测尺寸和光学元件产生的模糊,从图像中获得更多的细节和信息。利用最小二乘回归亚像素边缘检测技术进行边缘定位及角点提取。基于机器视觉CCD摄像机采用线性回归法进行摄像机的标定。最后,实验分析和比较了基于机器视觉的零件尺寸测量的应用效果。 相似文献
18.
一种基于激光测距技术的三维可视化系统 总被引:1,自引:1,他引:1
构建一个基于激光距离探测器的物体表面三维建模与成像系统,通过对运动物体的多次连续扫描,根据采集到的二维距离信息和扫描仪的运动方程以及转动姿态,建立物体表面的三维空间模型.其作为一个PC/104嵌入式系统,可应用于室内物体表面建模,也适用于将扫描仪挂载在车辆或小型无人机等移动平台上,进行室外地表环境的三维可视化. 相似文献
19.
20.
针对自由曲面轮廓度较难准确测量和评定的问题,开发了一种完整的非接触式曲面轮廓度在线检测系统。系统采用机器视觉对采集到的零件端面图像边缘特征进行识别和处理,将提取出的边缘特征与标准轮廓模板进行匹配。匹配过程中采用分段迭代匹配的思想,提高算法效率和匹配速度。该视觉检测系统已应用于冲压流水线上工件端面的面轮廓度检测。实际应行表明,检测系统的检测精度为1 μm,检测时间少于3 s,可满足工业检测对检测精度和实时性的要求。 相似文献