高阻相对La2／3Ca1／3MnO3低场磁电阻效应的影响

实验研究了La2／3Ca1/3MnO3系统晶界上掺杂(YSZ)对其输运性能和磁电阻效应(MR)的影响。样品是由溶胶．凝胶法制成的。通过对样品的电输运特性的测量表明,在掺杂量(x)低于2％时,掺杂引起电阻的增大并降低了金属．绝缘体转变温度;当掺杂量高于2％时电阻逐渐减小,且转变温度增加。而低场磁电阻效应随掺杂量增加,在x=1％时达到最大。     

颗粒尺寸对多晶La2／3Ca1／3Mn1-xCuxO3低场磁电阻的影响

采用溶胶-凝胶法制备了不同颗粒尺寸的La2/3Ca1/33Mn1-xCuxO3(x=0.04)系列试样。X射线衍射实验说明Cu掺杂和不同温度烧结没有改变晶体的结构。电阻-温度实验曲线表明，随颗粒尺寸的减少，半导体-金属转变温度（Tp）向低温方向移动。磁电阻曲线显示，随颗粒尺寸的减少，与颗粒晶界有关的磁电阻在25K恒温、0.4T低场下由25%增加到了51%。实验结果表明，在La2/3Ca1/3MnO3中少量Cu掺杂和小颗粒尺寸可以实质性地提高与颗粒晶界有关的低场磁电阻效应。     

La-（Ca-Ba-Sr）-Mn-O锰氧化物高低温输运特性

用固相反应烧结法制备了多晶体材料La2/3Ca1／3MnO3(LCMO)，La2／3(Ca0.5Ba0.5)1/3MnO3(LCBMO)、La2，3Ba1/3MnO3(LBMO)，La2／3(Sr0.5Ba0.5)1/3MnO3(LSBMO)和La2/3Sr1／3MnO3(LSMO)，测量了它们在77K～800K的电阻和磁电阻特性。实验发现，通过一定的工艺技术制备出的CMR材料有强烈的相界效应，在低温下有大的磁电阻，且在Tc附近存在明显的从金属态向半导体态的转变：用自旋极化电子隧道效应和靠近居里点逾渗模型较好地解释了电阻和磁电阻行为：用非绝热小极化子跃迁模型对高温的电阻特性进行拟合处理，得到了激活能；同时发现退火处理对样品的电阻率有重要的影响。     

La0.67Sr0.33Co1-xFexO3体系的输运行为

研究了Co位Fe掺杂对La0.67Sr0.33Co1-xFexO3体系的电输运性质和巨磁效应的影响.结果表明:电阻率在低掺杂(x≤0.1)时显示金属性输运行为,而在高掺杂(x=0.2,0.3)时则显示半导体行为.而且,Fe掺杂削弱了Tc处的MR峰值,但增加了低温下T≤Tc的MR值.La0.67Sr0.33Co1-xFexO3体系的磁电阻的起源可由外加磁场导致的自旋态转变来解释.     

稀土空位锰氧化物(La(1-x-y)Yy)2/3Ca1/3MnO3的磁热效应

采用固相反应法制备La(1.x)2/3Ca1/3MnO3(x=0.0,0.04)和(La0.7Y0.3)2/3Ca1/3MnO3系列样品,测量不同温度下的磁化强度-磁场曲线,计算样品的磁熵变,研究La空位掺杂和Y3 离子掺杂对磁热效应的影响.结果表明,La空位掺杂(x=0.04)的样品在居里温度附近磁熵变最大值为6.22 J/(kg.K),这比La2/3Ca1/3MnO3磁熵变最大值(6.26 J/(kg.K))稍有降低;而Y3 离子掺杂的样品在温度60 K时和磁场强度2 T下,其磁熵变最大值为0.568 J/(kg.K),并且磁熵变随温度变化有继续增大的趋势.这表明(La0.7Y0.3)2/3Ca1/3MnO3可以作为一定温区的磁致冷材料.     

Co掺杂非晶C薄膜的低温磁输运特性及磁性能研究(英文)

采用磁控共溅射方法在n型Si(100)基片上制备了一系列具有不同Co含量(x,at%)的Co掺杂非晶C颗粒薄膜,溅射温度为室温。研究了Co-C颗粒薄膜的微结构,磁输运特性及磁性能。通过优化Co含量,在低温下发现了较大的负磁电阻(MR)。温度为2K、磁场为90×79.6kA.m-1时,Co含量为6.4at%的Co-C薄膜的负磁电阻值最大,达到27.6%。随着Co含量从6.4at%增加至16.4at%,MR值从27.6%逐渐减小至2.2%。电阻率??随温度T的变化曲线显示了线性的ln?-T-1/2关系,说明样品中电子传导遵循隧穿输运机制。     

Low-Temperature Magnetotransport and Magnetic Properties of Cobalt-Doped Amorphous Carbon Thin Films

采用磁控共溅射方法在n型Si(100)基片上制备了一系列具有不同Co含量(x,at％)的Co掺杂非晶C颗粒薄膜,溅射温度为室温.研究了Co-C颗粒薄膜的微结构,磁输运特性及磁性能.通过优化Co含量,在低温下发现了较大的负磁电阻(MR).温度为2K、磁场为90×79.6 kA.ml时,Co含量为6.4 at％的Co-C薄膜的负磁电阻值最大,达到27.6％.随着Co含量从6.4 at％增加至16.4 at％,MR 值从27.6％逐渐减小至2.2％.电阻率ρ随温度T的变化曲线显示了线性的lnρ-T1/2关系,说明样品中电子传导遵循隧穿输运机制.     

La0.77-xCa0.2SrxMnO3纳米颗粒的磁热效应

用溶胶-凝胶法制备了La0.77-xCa0.2SrxMnO3钙钛矿材料,实验结果表明掺入少量Sr可显著调节样品的居里温度Tc至室温(由236 K提高至300 K),同时样品保持了较大的磁熵变.在1 T外场下,x=0.06的样品最大磁熵变2.32 J·kg-1K-1,Tc为271 K.该系列样品低磁场下在室温附近具有较大的磁熵变,可作为室温磁制冷材料.     

Sr位掺Na对La0．67Sr0．33MnO3晶格结构和磁电特性的影响

采用固相反应法制备了样品La0.67Sr0.33-xNaxMnO3（x=0．05，0．10，0．15，0．20，0．25，0．33）。通过实验测出了样品的X射线衍射谱图、M-T曲线、p-T曲线和MR-T曲线，研究了Sr位掺Na对La0.67Sr0.33MnO3的晶格结构和磁电特性的影响。结果表明，样品呈菱面体结构，当x≥0．20时，Mn^3＋／Mn^4＋〈1，体系在反铁磁态，但实验中所有样品表现为顺磁-铁磁相变伴随绝缘体．金属相变；随X增加，巨磁电阻MR增大，Tc降低，当x=0．33时，在室温区获得了很大的磁电阻MR=241％。     

磁致冷材料研究进展

介绍了磁致冷材料磁热效应的表征方法，概述了国内外各温度区间磁致冷材料的研究进展。在20K以下温区，磁致冷材料研究主要集中在具有高导热率、低点阵热容和极低有序化温度的石榴石，如Gd3Ga5O12(GGG)，Dy3Al5O12(DAG)，Gd3Ga5-xFexO12(GGIG)及Er基磁致冷材料；20K～77K温度区间，磁致冷材料研究主要集中在重稀土金属间化合物中，如(Dy1-xErx)Al2复合材料等；在室温附近，具有大磁热效应的磁致冷材料以稀土Gd，Gd5(SixGe1-x)4(0≤x≤0．5)和MnFeP1-xAsx(0．15≤x≤0．66)合金为代表，特别是Gd5Si2Ge2(Tc=274K)和MnFeP0.45As0.55(Tc=300K)合金，在磁场5T下具有巨磁热效应，是Gd的2倍以上。总结了各温度区间磁致冷材料的选择依据。重点评述了室温磁致冷材料的最新研究成果，展望了室温磁致冷材料的发展前景。     

New correction method for controlled-source electromagnetics source effects

A novel method for source effect correction based on integral equation method is proposed. By taking the electrical horizontal field E_x of current source as an example, the correction method is validated using both simulated data and field data. The results show that the correction method is feasible and effective for isotropic media. When the field data are processed, the correction method normalizes the sources with different geological structures, which eliminates the geological difference among sources, and retains the geological difference among receivers. The correction results are in line with the expectation in whole.     

Effect of microstructure on environmental embrittlement in a TiAl base alloy

The effect of different microstructure on environmental embrittlement in a chromium-containing TiAl alloy has been analyzed. The alloys having fully lamellar, nearly lamellar and duplex structure exhibited no apparent difference in the fracture strength and the tensile elongation at two test environments, vacuum and air. The near gamma alloy shows more strength higher and ductility in the vacuum than in the air. Tensile ductility increased to 3.5% in the vacuum, compared with 0.3% in the air. It can be argued that the gamma phase itself has relatively high intrinsic ductility, although a relationship with the ductility of alpha-2 is not yet clarified. An important factor to determine the environmental effect is the morphology and the volume fraction of alpha-2 phase in the alloy.     

La0.3Sr0.7FeO3薄膜的输运和光诱导特性研究

采用射频(RF)磁控溅射法制备稀土掺杂铁氧化物La0.3Sr0.7FeO3(LSFO)薄膜。电阻-温度关系表明,薄膜在测量温度范围内呈现半导体导电特性,其主要源于Fe3+和Fe5+离子的电荷有序排列,同时薄膜在250K时发生电荷有序态转变。激光作用诱导薄膜电阻减小,且光致电阻相对变化在190K时取得极大值为56.3%。利用变程跳跃模型对电阻温度曲线进行分析讨论,表明激光作用的内在机制是激光辐照诱导电子退局域化。     

高速检测条件下缺陷钢轨涡流效应的仿真

由于高速漏磁检测下速度效应的存在,检测信号会发生畸变。根据漏磁检测中速度效应的基本原理可知,速度感应产生的涡流是直接影响漏磁检测信号的因素之一,而且其大小同速度及磁场强度成正比。因此文章根据高速检测的这一特点,建立了新的高速检测模型,对一系列运行在不同速度下有缺陷的钢轨模型进行了有限元仿真,并将该模型下的检测信号与经典漏磁模型的检测信号对比,进一步认识了涡流效应对检测信号的影响。     

iLaAlO3、MgO和SrTiO3衬底上的La0.7Sr0.3MnO3薄膜输运和光诱导特性研究

利用溶胶-凝胶(Sol-gel)法制备了La0.7Sr0.3MnO3(LSMO)靶材,并采用脉冲激光沉积(PLD)的方法在LaAlO3(100)、MgO(100)和SrTiO3(100)衬底上沉积了外延薄膜,研究了衬底与薄膜之间的晶格不匹配度对LSMO薄膜输运和光诱导特性的影响.结果表明:随着晶格不匹配度(考虑符号)的增加,薄膜的相变温度升高,而电阻率和光电导△ρ值则减小.在低温金属相,光诱导致使电阻率降低;高温绝缘相光诱导则使得电阻率升高,在MgO和SrTiO3衬底上薄膜的光电导△ρ具有极大值和极小值,分析表明这一现象的出现可归结于双交换作用和极化子效应.     

金属纳米材料的进展

简述了近年来金属纳米材料的研究和发展情况;概述了金属纳米材料的特性、用途和粉体及块状金属纳米材料的制备;结合当今金属纳米材料制备和研究领域的前沿技术和成果,展望了金属纳米材料的发展方向和前景。     

1—HBTA对钢,黄铜的缓蚀作用

研究在3％NaCl水溶液和模拟冷却水介质中,不同pH值时不同浓度(0.05％、0.1％、0.5％)的1-羟基苯骈三氮唑(以下简称1-HBTA)对钢、黄铜的缓蚀作用,1-HBTA是一种阳极型缓蚀剂,对金属腐蚀的阳极过程有明显的阻滞作用,而对阴极过程影响不大。     

La0．82Te0．18MnO3薄膜的庞磁电阻效应及光诱导特性

用脉冲激光沉积（PLD）法在LaAlO3单晶衬底上制备了VIA族非金属元素Te掺杂的La0．82Te0．18MnO3（LTMO）薄膜。X射线衍射分析表明，薄膜具有钙钛矿赝立方结构，且沿（012）方向择优生长；电阻-温度关系显示，该材料存在金属-绝缘体转变特性和庞磁电阻（CMR）效应；在0．7T的磁场作用下，薄膜的磁电阻最大值为30．6％，对应的温度在263K。而室温（303K）磁电阻值为4．8％；拟合分析表明，薄膜在低温区是单磁子散射，在高温区满足小极化子输运模型。在波长为532nm的绿激光作用下，在253K，光致电阻变化率达到最大值33．6％；分析认为这可能是由于光激发会改变材料中的磁有序，减弱双交换作用，进而改变电子的输运性质。     

多功能应力阻抗效应自动测试仪的研制

介绍了一种多功能应力阻抗效应自动测试仪，该测试仪集成了巨应力阻抗(GSI)效应和巨扭力阻抗(TGI)效应的自动测试，可实现恒张力条件下测TGI效应，并可实现GSI效应和应力-应变的同时测试，从而直接计算GSI材料的应变因子(SGF)。     

18Mn-Si系TWIP钢层错能的计算与实验

采用热力学计算以及XRD分析技术对18Mn-Si系TWIP钢的层错能进行了研究。结果表明,18Mn-Si系TWIP钢在淬火状态下为全奥氏体组织,拉伸变形以后出现变形孪晶和α马氏体相;该钢种的层错几率和层错能分别为2.6×10-3、17.3 mJ/m2,说明其在拉伸应力作用下将同时发生TWIP效应和TRIP效应,该结论与实验结果相吻合;对于18Mn-Si系TWIP钢而言,其在298 K条件下层错能（SFE）和层错几率（Psf）存在如下关系,即,SFE（298 K）=4.498×10-2/Psf。