半导体技术发展与环氧模塑料研究方向

1962年美国GE公司建立第一条环氧封装的民用晶体管生产线,1972年美国MortonChemica1公司将Polyset-41OB商品投入市场。由于集成电路的集成度近年来以每两年提高两倍的速度发展,现在已跨入了以环氧模塑料封装的256 K DRAM(动态随机存贮器)的超大规模集成电路(VISI)时代,并正在向高重复、多功能、多层或三维的方向发展。每年用于半导体工业的环氧模塑料达3万t以上。目前在半导体元器件的封装中,之所以以低压传递成型方法的环氧模塑     

FC环氧模塑料

环氧模塑料是用于电子元器件的封装材料,为发展电子工业的关键微电子化工材料之一。我国大约80%的集成电路、90%以上的分立器件已采用塑料封装.估计“八·五”期间全国的环氧模塑料用量可达到3000吨以上。因而,环氧模塑料已成了电子行业重要     

无机填料对环氧模塑料导热和阻燃性能的影响

采用两种无机填料Si₃N₄和Al(OH)₃ 复合填充环氧树脂制备了环氧模塑料(EMCs), 研究了两种填料用量及单独添加和复合添加对环氧模塑料导热性能和阻燃性能的影响。研究结果表明, 单独添加Si₃N₄或Al(OH)₃对环氧模塑料导热性能和阻燃性能的影响规律基本一致, 即随着填料含量的增加, 环氧模塑料的导热性能和阻燃性能均有不同程度的提高; 复合添加Si₃N₄和Al(OH)₃对环氧模塑料的导热性能和阻燃性能均起到积极作用, 但是随着填料中Si₃N₄与Al(OH)₃体积比的变化, 材料导热性能与阻燃性能会产生交叉耦合作用。当 填料中Si₃N₄与Al(OH)₃体积比为3∶2, 总体积分数为60%时, 环氧模塑料的导热率可以达到2.15 W/(m·K), 氧指数为53.5%, 垂直燃烧达到UL-94 V-0级。      

新型苯并噁嗪/环氧树脂/酚醛树脂模塑料及其耐热性研究

首次将苯并噁嗪引入模塑料配方中,制备了以苯并噁嗪/环氧树脂/酚醛树脂三元体系为主体树脂的新型模塑料样品。性能研究结果表明,加入苯并噁嗪后,模塑料的操作性没有受到影响;与环氧-酚醛模塑料相比,热机械分析测得的苯并噁嗪/环氧/酚醛模塑料样品的Tg提高了约20℃;填料含量同为78%时,苯并噁嗪/环氧树脂/酚醛树脂模塑料的吸水率下降了47%;在更少阻燃剂添加的条件下,苯并噁嗪/环氧/酚醛模塑料同样达到了UL94V-0级别的耐燃性;环氧-酚醛模塑料封装的TO247器件只能通过最高-50/200℃,1 000次的温度循环测试,而苯并噁嗪/环氧树脂/酚醛树脂模塑料封装的TO247器件通过了-50/225℃,1 000次的温度循环测试。     

快干塑料使半导体器件成本降低

美国伦斯勒理工学院和Polyset公司开发出一种快干塑料,用这种塑料于半导体器件生产和计算机芯片封装可以提高工效,使成本大为降低。这种新材料被称之为Polyset树脂硅氧烷（PES）,还可用于芯片制造．封装过程中的修整工序。     

国外远紫外光刻胶发展概况

一、概况超大规模集成电路(VLSI)是大规模集成电路(LSI)发展的必然趋势。美国准备把它作为八十年代的“法宝”,垄断世界市场。日本则于1976年由政府出面,集中了富士通、日立、三菱电机、日本电气和东芝五大公司的精华,组成了VLSI技术研究协会,开始了为期四年的研制计划,准备在这“决定日本电子工业沉浮”的大事中与美国争雄。现在,对VLSI,一般公认的界限是,每     

ARALL——未来飞机的结构材料

复合材料应用在飞机结构上的比例越来越大,除了象碳/环氧、芳纶/环氧等高级结构复合材料外,一些新型的结构材料仍不断地涌现。最近,由荷兰Delft技术学院宇航工程系与欧洲Fokker飞机公司、荷兰国家宇航实验室(NLR)、荷兰ENKA公司(芳纶厂商)、美国3M公司(树脂厂商)和ALCOA公司(铝合金厂商)合作,成功地研制出了一种新型的结构复合材料——铝/芳纶-环氧层合材料(Araid Aluminum Laminate,简称ARALL)。这种材料是由铝合金板与芳纶-环氧     

集成电路封装用环氧模塑料的绿色阻燃

合成了三聚氰胺改性含氮酚醛树脂,以邻甲酚醛环氧树脂为基体树脂,以自制的改性酚醛树脂为固化剂和阻燃剂,对集成电路封装用环氧模塑料绿色阻燃配方及工艺进行了研究。结果表明自制的改性酚醛树脂固化能力好,阻燃效果好。     

中国单晶硅生产工艺专利现状分析

<正>1947年,美国贝尔实验室发明了半导体点接触晶体管,从此开拓了硅材料的高速发展时代。1958年,美国2家公司率先发明了半导体集成电路IC产品。目前,信息技术产业的发展已进入特大规模集成时代。信息技术产业的发展程度是国家实力的体现,现在全世界有95%以上的信息技术产业基础材料是由硅晶体材料制成。同时,随着光伏产业的迅猛发展,单晶硅材料又被用来制造太阳能     

美国开发出可快速干燥新型聚合物

美国伦斯勒理工学院与普利斯特公司合作开发出一种低成本可快速干燥的新型聚合物，利用这种材料可大幅降低半导体制造与电脑芯片封装的成本并提高效率。这种称为环氧硅氧烷聚酯树脂（PES）的新材料也使得新一代低成本芯片纳米压印光刻术成为可能。该研究成果刊登在近期美国《真空科学与技术：B辑》上。     

半导体用高纯气体

生产半导体需使用多种化学品。据推测,1980年美国用于半导体工业的化学品约达900亿日元,主要用在生产集成电路方面。另外,印刷线路板制造厂家等购买了约相当于400亿日元的化学品。两项合计约为1,200亿日元。这些化学品是:(1) 光致抗蚀剂及其有关的药品;(2) 清洗用药品;(3) 掺     

日本各公司竞相开发半导体用正型光致抗蚀剂

半导体用光致抗蚀剂正处于由负型向正型的转变之中,以迎接超大规模集成电路时代的到来。在正式的超大规模集成电路制品256K 随机存取存储器的批量生产同时,各公司在光致抗蚀剂的供应方面竞争激烈。目前以64K 随机存取存储器(RAM)为中心的正型抗蚀剂的市场占有率为东京应化工业和     

美国大规模集成电路用光学设备(出国参观考察报告)

前言中国科学院“大规模集成电路工艺、材料和设备考察团”于1979年5月21日至6月18日到美国参观考察,历时28天。考察团先后参观了美国西部和东部微电子学的工艺企业、大型计算机制造公司和集成电路光机设备厂比较集中的四个地区,即旧金山市海湾区、洛杉矶、纽约、波士顿等地。参观了每年五月在旧金山地区举办的美国西部半导体     

硅谷创新生态的演进

正硅谷创新生态的演进伴随着硅谷创新集群的更迭,物种、种群、群落呈现出不同的时代特征。一、半导体时代:地平线上的新曙光20世纪初,美国的国防工业直接推动了硅谷的发展。随着半导体商业用途的日益广泛和国防市场份额的下降,一部分军用技术开始转向民用消费领域发展。1958年仙童公司的Robert Noyce与美国德克萨斯仪器公司基尔比间隔数月分别发明了集成电路,使得半导体工业在20     

环氧树脂模塑料模制性能的测试

随着电子工业的发展,电子器件的塑料封装日新月异,尤以环氧类的塑料封装增长的比例最大。目前日本已有85～90%的电子器件采用塑料封装,其中90%是采用邻甲酚环氧树脂塑料封装。近年来,国内很多电子器件单位引进了国外的塑封模具。为了使国产模塑料适应此类模具的要求,以达到环氧模塑料国产化的目的,许多单位做了大量工作。为在进口模具上用好环氧树脂模塑料,上模前模塑料的工艺性能测试是必不可少的。模塑料的工艺性能测试有如下各项:1.脱模性的测试为了减少水气从塑料与金属界面渗入,提高塑封器件的可靠性,要求模塑料对框架的粘结力高。但是过高的粘结力会导致成型后的器件与模具难以分开,即所谓难脱模,     

半导体材料的发展现状与趋势(摘要)

一、硅单晶和外延材料 半导体硅单晶材料是半导体器件和集成电路等电子工业的基础材料,年产量已超过50亿in~2,到2000年预计将达60多亿in~2。在目前使用的半导体材料中,硅一直处于主导地位(98％的半导体器件是由硅材料制造)。在过去的近半个     

今后五年内电子化学品的消费将增长90％

据新泽西州费尔菲尔德的C.H.Kline公司估计,到1985年,西方国家电子化学品及有关材料的消费额,将从1980年的四亿多美元增至七亿五千万美元。电子化学品是专用化学品中增长最迅速的一类。它用于:半导体集成电路;半导体分立器件,诸如晶体管、厚膜组件、印刷线路、液晶显示器以及发光二极管等。电子化学品的需要量随着电子工业尤其是半导体工业的发展而发展。预计从1979年     

航天用高强度环氧粘合剂

据美国金属化学树脂公司(MetachemResins Corp)的产品分公司介绍,该公司新近开发了一种高强度特殊环氧粘合剂,它可以粘接飞机、航天工具、外层空间飞行器中的金属材料,以及微型计算机和导弹制导电子元件。它也可使用于器械、机动车辆、     

球形微米和纳米级SiO_2的生产新工艺

1　球形微米和纳米级ＳｉＯ2的用途目前,世界上每年生产18万ｔＳｉＯ2电子封装材料,研磨法制取的ＳｉＯ2占70%左右。球形ＳｉＯ2每年销量2～3万ｔ。不规则ＳｉＯ2在封装时其封装密度小,在温度变化时其膨胀系数大,这对电子元件会造成不稳定。而球形的ＳｉＯ2作封装材料时,由于提高了致密性,导致密度增大,结果使膨胀系数缩小,提高了电子元件工作的稳定性和可靠性。塑料封装大规模、超大规模集成电路所需环氧模塑料,它的填充料大部分或全部都是球形二氧化硅粉(俗称硅粉),其质量占模塑料质量的80%～90%。所以球形硅粉的质量及其国产化就显得十分…     

新书出版消息预告

北京有色金属研究总院(Grinm)、有研半导体材料股份有限公司(Gritek)张厥宗编著的《半导体材料硅单晶抛光片的加工技术》一书近期将由《化学工业出版社》出版。《半导体材料硅单晶抛光片的加工技术》在内容上采取由浅入深的方式,在介绍半导体硅及集成电路有关知识的同时,简单介绍半导体工业及国外、国内半导体材料硅(Si)单晶、抛光片技术的发展和动态外,结合能满足小于线宽0.13～0.10μm IC 工艺用优质大直径硅(Si)单晶抛光片的加工技术进行全面、系统的概述。全书共分八章。第一章介绍半导体工业发展及动态和国外、国内硅(Si)单晶、抛光片的发展概况;第二章介绍半导体材料硅(Si)的物理、化学及其半导体的性质;第三章介绍集成电路对硅(Si)单晶、抛光片的技术要求及硅(Si)单晶、抛光片的制备;第四章介