LPE生产高阻厚外延产品的自掺杂改善

正高压半导体功率器件主要需求的材料为厚外延高阻的外延片,而LPE的优势在于生产厚外延产品,但厚外延高阻材料对于片内阻值均匀性的要求,与外延时的自掺杂息息相关。此文主要研究LPE上厚外延的自掺杂改善。随着家电、平板电脑、汽车等消费市场不断增长的需求,功率器件的需求量也在逐年增长,所以厚外延高阻材料需求也同步增加。厚外延的材料,主要是在LPE上生产。因LPE为多片式的炉台,所以外延阻值均匀性的改善尤为重要。     

硅外延片中的杂质控制

有5类掺杂源影响硅的外延片中的杂质分布。主掺杂质控制外延层的杂质浓度，决定外延层的电阻率。固态外扩散、气相自掺杂和系统自掺杂影响衬底界面附近的外延层杂质浓度的深度分布。该文介绍了此3类掺杂源的掺杂过程和抑制方法。金属杂质在外延层中对器件有害，防止沾污和使用吸杂技术能降低金属杂质在外延层中的浓度。     

GaAs晶体中的环形缺陷

一、引言近年来,在Ⅲ—Ⅴ族化合物半导体器件领域中,高速集成电路、双异质结半导体激光器、光集成器件等,在微波、光通讯和第五代电子计算机等方面,都起到相当重要的作用,受到人们的高度重视。发展这些器件,无疑要有较完备的外延生长工艺,能生长出均匀的优质外延层,甚至能精确控制生长出几百埃的均匀多层结构,而且还要有完整的单晶衬底材料。这是制备优质的外延层,从而得出高性能、长寿命半导体器件的     

Ⅲ-Ⅴ族化合物的原子层外延

本文介绍了原子层外延(ALE)的基本原理、应用于Ⅲ-Ⅴ族化合物生长技术及 ALE 的工艺特点与生长机理。指出了 ALE 是继 MBE、MOCVD 之后又一新的可控制到单原子层生长的外延技术,它将影响 GaAs 材料和器件的未来。     

电化学C-V法自动测绘装置

半导体单层、多层外延材料的纵向浓度分布是一项非常重要的参数,它直接影响器件的性能。纵向浓度分布一般可用自动C-V法或二次谐波法测量。但受某些材料表面浓度及PN结耐压的影响,不能测得完整的纵向浓度分布。电化学C-V法弥补了上述不足,现已用于测量半导体单层、多层外延,PN结     

用于MESFET的GaAs多层气相外延的研究

用AsCl_3-Ga-H_2体系生长GaAs气相多层外延材料。研究了一些生长参数对缓冲层中Ec-0.82eV深中心密度n_T的影响,讨论有源层和缓冲层之间的界面特性以及有关在微波器件中的应用。     

四阱耦合InGaAs/InAlAs/InP量子级联激光器材料的结构特性研究

报道了用气态源分子束外延 (GSMBE)技术生长的InAlAs/InGaAs四阱耦合量子级联激光器 (QCL)材料的结构特性。X射线双晶回摆曲线谱测量结果表明所生长的QCL有源区的界面 (含 770层外延层 )、厚度达到单厚子层控制 ,组份波动≤ 1% ,晶格失配≤ 1× 10 - 3。采用特殊的优化工艺 ,Φ5 0mm外延片的表面缺路陷密度降至 1× 10cm- 2 ,达到了器件质量的要求。     

新的半导体生长方法

美国贝尔公司通讯研究室的科学家近来透露说有一种新的晶体生长方法。这种工艺在衬底上生长外延层时,衬底是悬浮的。这种气相悬浮外延(VLE)已生产特纯材料,主要用于光纤通讯系统。用这种方法生长InGaAs,可以促进快速光学器件的发展。这种新方法也能生长几个原子层的超薄层。新方法的设备由两个邻近的生长室组成。生长室上面有一个多孔的碟盖,室旁连接有水平悬浮     

Ⅲ—Ⅴ族半导体材料的现状和新进展

一引言Ⅲ—Ⅴ族半导体是比Si更为重要的微波和光电材料。过去对这类材料的体单晶和外延层生长的努力,使它们的质量有很大的提高,从而满足了微波和光电器件的要求。当今,面对正在发展的高速、高功率和超品格器件以及光、电集成电路的要求,Ⅲ—Ⅴ     

容压法控制外延掺杂和器件质量的提高

目前,N/N~ 和 P/P~ 型硅外延片广泛使用三探针法测量电阻率。由于测试条件常常不符合标准,测得的电阻率与实际值往往差别很大。用此法分选的外延片制管,电参数一致性很难控制,是器件质量波动、合格率低的     

绝缘衬底上异质外延生长硅

兰宝石绝缘衬底上外延沉积单晶硅层,制作互补金属—氧化物—半导体(CMOS)集成电路,抗核辐照器件等,是研制大规模(LSI)和超大规模(VLSI)集成电路的理想材料。它的研制成功,解决了一般硅集成     

用水平布里兹曼法生长GaSb单晶

GaSb是制作光电器件的重要衬底材料。在GaSb上外延生长三元或四元锑化物（如 AlGaSb、InGaAsSb或AlGaAsSb等）,其外延层晶格匹配良好,制成激光器介质损耗小、失散小、功率大,能很好地与氟化物玻璃光纤相匹配,可用于长距离光纤通讯。因此,GaSb是发展新一代光纤通讯与高速电子器件的基础材料。目前,生长GaSb单晶多用双坩埚法、氢气还原法与LEC法等直拉工艺。采用这些工艺易于获得大型锭条,但因GaSb熔点低、过冷度大且极易氧化,不易提高产品质量,产品位错密度通常在10~3～10~4cm~(-2)范围内。为此人们尝试以水平法生长GaSb单晶。     

分子束外延(MBE)Ⅲ-Ⅴ族材料及其器件应用的进展

随着分子束外延(MBE)生长环境清洁度的改善和生长工艺技术的改进,MBE GaAs 的纯度、AlGaAs/GaAs 异质结界面质量和外延层的性能等都有明显提高。MBEⅢ-Ⅴ族三元、四元合金(如 InGaAs、InAlAs、InGaAlP、InGaAsP…等)的研究也取得了重要进展。目前MBE 不仅已能生长出性能完全可和 LPE、VPE 相比或甚至更优的Ⅲ-Ⅴ族材料的微波器件和激光器件、更为引人注目的是它在超晶格、量子阱和调制掺杂异质结二维电子气等方面的研究,制备出了越来越多的,用其它方法不能制备的,性能优异的新型器件。MBE 所取得的成就,充分表明它是发展下一代半导体微结构器件的关键技术。     

氮化镓基发光二极管外延材料与器件工艺研究通过鉴定

8月 2 9日 ,氮化镓基发光二极管外延材料与器件工艺研究通过了中国科学院计划局和基础局在物理所主持召开的成果鉴定会。鉴定委员会一致认为 ,中科院物理所与上海蓝宝光电材料有限公司联合开发的蓝光发光二极管解决了从外延材料到器件工艺的关键技术 ,已申请并被受理了 4项发明专利 ,产品已得到了市场的认可 ,其器件性能达到国际先进水平。这项技术的发展对推动我国蓝光LED产业化的实施有重要意义。氮化镓基发光二极管外延材料与器件工艺研究通过鉴定     

我国半导体发光器件拥有了“中国心”

国家重大科技项目“半导体发光器件外延工艺与管芯技术”的鉴定验收 ,近日在山东省济南市顺利通过。这标志着我国半导体发光器件拥有了自己的“中国芯” ,打破了半导体外延材料与管芯技术被欧美发达国家和地区垄断的局面。使我国具备大批量提供各类高亮度发光二极管、激光二极管外延材料及管芯产品的生产能力。“半导体发光器件外延工艺与管芯技术”是我国光电子产业化前期关键技术开发项目 ,目前 ,这一项目已形成了一定生产规模 ,可年产各类高亮度及超高亮度发光二极管、激光二极管外延片 4万片 ,管芯 2亿粒。该项目整体设计合理 ,在产业化…     

MOS硅外延技术

本文综述了MOS外延技术的发展、外延MOS结构的优越性及MOS器件对外延技术的要求。重点叙述了MOS外延工艺及其与内吸除技术的结合。     

硅外延及其应用

介绍了硅外延生长技术,综述了应用于硅外延的分子束外延（MBE）、化学气相沉积（CVD）、液相沉积（LPE）三种工艺,并介绍了Si基外延材料器件的应用。     

用分子束外延膜制造场效应晶体管

用气相和液相外延在衬底上生长外延层的两种方法,不久就会被分子束方法所超过。在日本三菱电气公司的发展下,该法已经生产了一种在8千兆赫下工作的低噪声砷化镓金属半导体场效应晶体管(MES FET)。这种不同规格的MES FET正在逐步取代用于小信号放大,频率发生和功率放大的硅器件、Impatt二级管和甘氏二级管。 到目前为止,这些外延片已在最佳偏压和2.5分贝的噪声指数下获得8.4分贝的增益,比用气相外     

GaAs／Si异质外延生长研究进展

一、前言复杂的模拟电路、数字电路和光电器件的单片集成,使人们越来越注意开发混合半导体材料工艺,这方面最杰出的例子是在硅单晶衬底上生长 GaAs 外延层。GaAs/Si 工艺研究已成为固态电子学和异质结电子学中重要的研究领域。     

提高集成电路成品率的有效措施

众所周知,半导体器件和集成电路的成品率和优品率与外延层的质量密切相关,但氧化感生层错和外延堆垛层错却会严重影响外延层的质量。为此外国科学家及有关部门