采用LM317T芯片的电路电源设计

介绍了三端稳压器LM317T芯片的工作过程及其输出电压的计算公式。基于电路板芯片供电电源的考虑，设计了一种采用LM317T的三端稳压器的电源电路，用于给控制板芯片供电。设计电路时，详细分析了其电路设计方法，给出了此电路主要参数的计算及实验波形。最后将此供电电源电路制成印刷电路板，测取各重要测试点的电压信号，用Protel对电源供电电路进行仿真，仿真的结果与实际测试计算值相符，证明设计的电源供电电路是可靠的，具有一定的实用价值。     

三端集成稳压器检测仪的制作

三端集成稳压器检测仪用于检测判断78XX系列和LM217/317系列三端集成稳压器的好坏。三端集成稳压器是应用很广泛的集成块,它的好坏直接影响直流稳压电源能否正常工作。制作检测仪器用于检测三端稳压器的好坏是电子爱好者很好的选择。1.电路原理分析三端集成稳压器检测仪电路如图1所示。该电路主要由桥式整流电路、电容滤波、分流电阻、多功能插座、其检测电路五部分组成。变压器将220V交流电变成36V的交流电,经VD1、VD2、VD3、VD4组成桥式整流电路整流,C1为滤波电容,R1为分流电阻。XS为多功能插座,     

一种精密稳压的150 V直流电源电路

介绍一种利用低电压普通集成稳压器LM317精密稳压的150V直流稳压电路，电路采用两个NPN晶体管实现了LM317输入、输出端之间的限压、稳压和输入端的限流，电路结构简单，工作可靠，并且具有较高的稳压精度。     

用电流检测监控器和MOSFET提升输出电流

以前有篇设计实例描述了一种可编程电流源．使用的是美国国家半导体公司的LM317可调三端稳压器（参考文献1）。虽然该电路可以编程设定输出电流,但负载电流要流经BCD（二一十进制）开关。不过．你会发现很难买到能承受25mA以上电流的BCD开关,这就限制了电路的输出电流。使用Zetex公司简单的四脚ZXCT1010电池检测监控芯片．可以提升电流．因为电流不再流经BCD开关（图1）。     

三端集成稳压器检测仪的制作

三端集成稳压器检测仪用于检测判断78XX系列和LM217/317系列三端集成稳压器的好坏.三端集成稳压器是应用很广泛的集成块,它的好坏直接影响直流稳压电源能否正常工作.制作检测仪器用于检测三端稳压器的好坏是电子爱好者很好的选择.     

数控式步进可调稳压源

稳压电源是各种实验室必备的仪器，使用频繁。LM317是使用极为广泛且性能优良的三端串联型可调集成稳压器。利用LM317和数字集成芯片的巧妙结合，可构成数控式步进可调直流稳压源，且同步显示输出的挡位数，显示稳定直观，稳压输出取值按照设计需要而设定。本文介绍的数控式步进调压源实现了对输出电压的分挡输出，精度较高，使用方便，具有较高的性价比。     

0～24 V可调直流稳压电源电路的设计方法

简要介绍0～24 V可调直流稳压电源电路的3种设计方案,并较详细地阐述了一种应用三端稳压集成电路LM317的电路设计方法,该电路利用LM317和电压补偿电路以及软启动电路较好地解决了输出电压从0 V起调和输出软启动的问题.     

用于LM317稳压器的限流电路

尽管众所周知的LM317型稳压器已经具有短路保护措施,然而,在要求对大的短路电流进行限制的地方,仍有短路情况发生。如图中所示,可以提供一种简单方式的限流电路。利用输出电压U_0取决于对控制输入端     

增加折叠电流保护的电路

对许多需要数安培供电电流的应用而言，三端输出可调线性稳压器有易用．低成本和完全片上过载保护等特点，如美国国家半导体公司的LM317。增加数个元器件可以使三端稳压器具备一种高速度的短路限流能力，从而提高可靠性。限流器可将最大输出电流限制在一个安全的恒定水平IMAX上，避免稳压器的损坏。当出现一个故障状况时，传输晶体管上的功耗近似于VIN×IMAX。要让设计的稳压器能承受过载，就需要谨慎地选择元器件的额定值（经常是留了过大的余地），除非可以在故障发生时降低或折叠（foldback）输出电流。     

一种节能电磁阀驱动电路的设计与实现

近年来,随着社会经济的快速发展,能源的加速消耗,“节能环保”成为时代命题,国家在节能环保方面针对电气设备制定了更加严格的条件,电气设备在节能降耗方面面临着巨大机遇和挑战。本文以LM317可调式三端稳压器为核心元器件,设计了一种节能电磁阀驱动电路,阐述了电路的组成及工作原理,在multisim软件平台搭建电路模型,进行仿真分析,并制作了硬件电路,进行实验验证。结果表明,该驱动电路能够保障电磁阀的正常启动及安全运行,大大降低电磁阀功耗及线圈温度,延长其使用寿命,提高电路安全性和稳定性。     

SK8050S特性及其实验研究

SK8050S是由Sanken公司生产的5V他励开关稳压芯片。详细介绍了SK8050S的电气特性并对其工作效率和稳压性等主要参数进行了实验研究。文中给出了具体的实验电路和测试方法，实验结果表明SK8050S在工作效率和稳压性方面远远超过目前通常使用的三端稳压器L7805，能够输出高达3A的电流且电压稳定在5V。效率可高达91％。     

一种新型数控直流稳压电源的设计

以三端稳压集成电路LM317为基础,设计了一种16级数控直流稳压电源,介绍了该电源中可调电阻的选取与实现。该电源可用TTL电平直接驱动,调整方便,成本低而步进精度高,输出电压范围大。     

250 mV Supply Voltage Digital Low‐Dropout Regulator Using Fast Current Tracking Scheme

This paper proposes a 250 mV supply voltage digital low‐dropout (LDO) regulator. The proposed LDO regulator reduces the supply voltage to 250 mV by implementing with all digital circuits in a 0.11 μm CMOS process. The fast current tracking scheme achieves the fast settling time of the output voltage by eliminating the ringing problem. The over‐voltage and under‐voltage detection circuits decrease the overshoot and undershoot voltages by changing the switch array current rapidly. The switch bias circuit reduces the size of the current switch array to 1/3, which applies a forward body bias voltage at low supply voltage. The fabricated LDO regulator worked at 0.25 V to 1.2 V supply voltage. It achieved 250 mV supply voltage and 220 mV output voltage with 99.5% current efficiency and 8 mV ripple voltage at 20 μA to 200 μA load current.     

三端集成稳压器及应用

三端集成稳压器因其成本低、体积小、简便可靠、稳压效果好等优点获得了广泛应用。本文首先对三端集成稳压器的结构特点作了简要介绍,然后从引脚名称、外形与框图、输出电压系列等到若干方面对固定式与可调式三端集成稳压器进行了详细地对比,最后对由其构成的常见直流稳压电路进行了深入浅出的讨论。主要介绍了变压器、整流二极管的选取,正负稳压电源及从0V起调的可调直流稳压电源的构成原理,对常见直流稳压电源的设计起抛砖引玉的作用。     

Generalized theory and realization of a voltage-controlled negative resistance MOS device (lambda MOSFET)

A generalized theoretical approach used to predict circuits which exhibit the three-terminal negative resistance MOS characteristic is presented. The main structure of the positive feedback circuit is accomplished by connecting the drain and gate terminals of an n-channel enhancement mode MOSFET with the input and output terminals of an inverter circuit. The characteristic parameters such as the peak current, the peak voltage, the negative resistance, and the valley voltage are derived in a generalized form. Based on the theoretical predictions, several high density integrated circuits that give rise to a voltage-controlled negative resistance characteristic were fabricated and are described.     

模拟跨阻低通滤波器的设计

跨阻滤波器的输入为电流信号,输出为电压信号.本文给出了跨阻滤波器的设计方法,并按照品质因数Q的低、中、高详细介绍了三种双二阶节跨阻低通滤波器的电路拓扑结构及其参数计算方法.二阶跨阻低通滤波器与传统滤波器相级联即可实现高阶跨阻低通滤波器.最后,通过高阶跨阻低通滤波器的设计实例,验证文中所给出的设计方法的有效性.     

Analyses and design of bias circuits tolerating output voltages above BV/sub CEO/

Due to the inevitable tradeoff between speed and breakdown voltage, the spectacular speed improvement of modern SiGe processes in recent history has partially been achieved at the cost of a reduction in breakdown voltages. Because supply voltages have hardly been reduced however, circuits operating at a supply voltage above the collector-emitter breakdown voltage (BV/sub CEO/) are common practice today and collector-base avalanche currents are therefore of major concern. Transistors that need to handle a collector-emitter voltage above (BV/sub CEO/) are typically found as output transistors in output driver stages and in bias current circuits. Such circuits can be designed to tolerate collector-emitter voltages above (BV/sub CEO/) by driving the base terminal with a relatively low impedance. This paper analyzes various conventional as well as two new bias current circuits supporting operation at collector voltages above (BV/sub CEO/). In the new circuits, feedforward and feedback avalanche current compensation techniques are introduced that obtain a substantial increase in output breakdown voltage of the bias circuits and improve the accuracy of the current mirror at output voltages above (BV/sub CEO/). With the feedback technique, a measured increase in output breakdown voltage by more than 2 V is demonstrated while the accuracy of the current mirror ratio at output voltages of 2 to 3 times (BV/sub CEO/) is improved by an order of magnitude.