基于共沉积技术的AgTCNQ的有机双稳态器件

采用共沉积技术制备了AgTCNQ薄膜,并进行了红外、紫外光谱表征.利用微电子工艺制备了基于AgTCNQ薄膜的有机双稳态器件.研究发现,Ti/AgTCNQ/Au双稳态器件具有可逆、可重复的开关存储特性.将器件从初始的高阻态转变为低阻态的正向开关阈值电压为3.8～5V,将低阻态转变为高阻态的负向阈值电压仅为-3.5～-4.4V,与通常的CuTCNQ器件相比较小.这种基于AgTCNQ交叉结构的有机双稳态器件可应用于非易失性有机存储器.     

基于共沉积技术的AgTCNQ的有机双稳态器件

采用共沉积技术制备了AgTCNQ薄膜,并进行了红外、紫外光谱表征.利用微电子工艺制备了基于AgTCNQ薄膜的有机双稳态器件.研究发现,Ti/AgTCNQ/Au双稳态器件具有可逆、可重复的开关存储特性.将器件从初始的高阻态转变为低阻态的正向开关阈值电压为3.8～5V,将低阻态转变为高阻态的负向阈值电压仅为-3.5～-4.4V,与通常的CuTCNQ器件相比较小.这种基于AgTCNQ交叉结构的有机双稳态器件可应用于非易失性有机存储器.     

基于STM的有机电双稳材料电学性质的表征与改性

利用STM对金属有机络合物电双稳材料Ag-TCNQ的薄膜进行电学性质的表征与改性,在针尖强电场的作用下,当电压达到某一阈值后薄膜从高阻态跃迁至低阻态,这两种高低阻态可分别定义为一个存储单元的"0"与"1"状态.在STM的常规工作模式下,测量了薄膜的电学性质的变化;考虑到在STM的常规恒流工作模式下,针尖与样品之间的隧道结是影响电学性质的表征与改性的一个不可避免的重要因素,而它并不是材料本身的属性,为此利用STM进行了针尖与样品"接触式"的测试与分析,并且与常规工作模式进行了比较.     

基于STM的有机电双稳材料电学性质的表征与改性

利用STM对金属有机络合物电双稳材料Ag-TCNQ的薄膜进行电学性质的表征与改性,在针尖强电场的作用下,当电压达到某一阈值后薄膜从高阻态跃迁至低阻态,这两种高低阻态可分别定义为一个存储单元的"0"与"1"状态.在STM的常规工作模式下,测量了薄膜的电学性质的变化;考虑到在STM的常规恒流工作模式下,针尖与样品之间的隧道结是影响电学性质的表征与改性的一个不可避免的重要因素,而它并不是材料本身的属性,为此利用STM进行了针尖与样品"接触式"的测试与分析,并且与常规工作模式进行了比较.     

利用STM构建金属有机材料的纳米结构和改变电学性质

研究和开发利用扫描隧道显微镜(STM)对材料进行纳米尺度加工的功能，藉助于STM针尖和样品之间的强电场在金属有机络合物Ag-TCNQ薄膜表面构建了纳米点、纳米点阵和纳米线等纳米结构。伏安(I-U)特性曲线和扫描隧道的测试表明，在针尖强场作用后材料表面的局域电子态密度迅速增大，在电学上由高阻态转变为低阻态，这种效应可能归因于金属原子和有机分子之间的电荷转移。这些纳米结构展示了用作高密度存储器和纳米导线的可能性，有机导电材料将是未来纳米电子材料的理想候选者，而STM则将成为纳米电子学微细加工的有力工具。     

利用I-Z曲线的STM"接触"模式的电学测量和表面改性研究

利用STM对金属有机络合物电双稳材料Ag—TCNQ薄膜进行电学性质的表征与改性，在针尖强电场的作用下，当电压达到某一阈值后薄膜从高阻态跃迁至低阻态，这两种高低阻态分别定义为一个存储单元的“0”与“1”状态。本文考虑到在STM的常规恒流工作模式下，针尖与样品之间的隧道结对于电学性质的表征与改性具有影响。为此测量隧道电流I对隧道结宽度Z的依赖关系，I-Z曲线，从而确定针尖刚好接触样品的接触点，利用STM进行了针尖与样品“接触式”的电学测量和表面电学改性研究，并与常规工作模式进行了比较。     

Cu/TiOx/Al阻变存储器激活过程的研究

为了拓展光电器件在存储领域的应用以及更深入地了解阻变机理,研究了Cu/TiOx/Al电阻式随机存储器(RRAM)的激活(forming)过程,其中TiOx为透明薄膜。利用磁控反应溅射方法,通过改变O2分压制备出具有高折射率(在可见光区域平均值约2.23)和低消光系数(在可见光区域平均值约0.004 2)的透明TiOx薄膜。通过构建Cu/TiOx/Al三明治结构验证了透明TiOx薄膜的阻变存储特性。在阻变过程中,通过调节forming电压和电流,实现了透明TiOx薄膜的阶段性forming。对不同forming阶段的I-V拟合,进一步探索透明TiOx薄膜forming过程的电子传输方式。结果表明,随着forming的发展,透明器件的传输机理发生明显改变,由肖特基发射(SE)转变为FN隧穿,直接隧穿,到最后的欧姆传输,最终实现完整的forming。揭示了TiOx薄膜应用于可见光波段光电存储器件的可行性。     

一种具有极性记忆效应的热可擦有机电双稳薄膜

报道了一种新型有机材料AOSCN(3，9-双(10-(二氰基亚甲基)-9-亚甲蒽基)-2，4，8，10-四硫杂螺[5，5]十一烷)，能与Cu形成具有电双稳特性的络合物，在6V电压下，薄膜发生从高阻态到低阻态的转变，跃迁时间小于30ns，驰豫时间小于1μs。若薄膜已发生高阻态到低阻态转变，高温热处理能使其恢复初始状态，这有望制成可擦写存储器。此外，在一定的工艺条件下，AOSCN与Cu和Al形成的金属-有机-金属(MOM)结，具有极性记忆效应。     

一种新型芴类衍生物的双光子光致漂白三维光存储

基于光致漂白的双光子吸收三维光信息存储原理,以钛蓝宝石飞秒脉冲激光在一种新型光致漂白材料芴类衍生物BMOSF中进行光致漂白双光子信息写入和读出的实验研究,实现了6层光信息存储,信息点间距和信息层间距分别为8和10μm;采用MATLAB软件对6层信息点进行信号强度识别和信号点强度对比.实验表明,芴类衍生物BMOSF可以用...     

基于Rotaxane单分子层的双稳态器件研究

利用微电子工艺制备了基于Rotaxane单分子层的双稳态分子电子器件,并对其电学特性进行了表征.研究发现,在Ti/Rotaxane/Au双稳态,器件具有可逆可重复的开关存储特性.将器件从初始的高阻态转变为低阻态的正向开关阈值电压为1.3 V,将低阻态转变为高阻态的负向开关阈值电压仅为-1.7 V.这种基于Rotaxane交叉结构的有机双稳态器件可望应用于非易失性分子存储器.     

氧化物记录介质在光存储中的应用及其研究进展

系统总结了用于光存储记录层的氧化物薄膜的存储机理、存储特性以及最新进展,讨论了氧化物掺杂对提高存储性能的影响,指出了氧化物薄膜存在的不足,并探讨了可能的改善途径.在此基础上对存储材料的发展趋势及氧化物材料的研究前景进行了展望.     

纳米结构Ag-TCNQ电双稳薄膜的制备及分析

采用真空蒸发和大气环境下后热处理的方法制备了纳米量级颗粒均匀的Ag-TCNQ薄膜。通过可见光范围透射谱、x射线衍射、原子力显微镜、傅里叶红外光谱以及x光电子谱等分析研究了薄膜的物理和化学性质，发现热处理可促使Ag和TCNQ发生充分的络合反应并减小薄膜的颗粒度，在此基础上利用STM实现了局城电双稳态的转变和纳米存储点的写入。     

可录光盘(CD-R)的优化功率研究

采用旋涂工艺制备出了大面积的均匀花菁化合物染料薄膜和以其为记录介质的CD-R光盘。通过染料薄膜光谱的分析,发现该染料薄膜在780nm波长处有较大的吸收和较高的反射,多层膜的反射率达到75%,这符合橙皮书对反射率大于70%的要求。通过不同记录功率条件下对CD-R光盘的反射率和误码率等性能测试,确定了CD-R光盘的优化功率为7mW。     

TeOx和Ag-In-Sb-Te-O薄膜动态存储特性的测试

采用真空蒸镀法制备了以TeOx 薄膜为记录层的可录光盘 ,采用溅射法制备了以Ag In Sb Te O为记录层的可擦重写光盘 ,并测试了这两种光盘在波长为 5 14 .5nm的动态存储特性。实验结果表明 ,可录光盘的载噪比在波长 5 14 5nm时达到 3 0dB ,波长 780nm时达到 41dB ;可擦重写光盘的载噪比在波长 5 14 5nm时达到 2 5dB ,波长 780nm时达到 3 8dB。对光盘载噪比偏低的可能原因及改进方法进行了讨论。光盘动态存储性能测试证明了这两种薄膜可用作蓝绿光波段高密度光存储介质。     

高密存储介质磁性纳米颗粒薄膜与纳米超晶格结构研究进展(英文)

钴基合金和铁基合金磁性纳米颗粒薄膜和纳米超晶格结构,由于具有较高的矫顽力和各向异性能,较小的粒子尺寸分布和能形成“单域”结构等特性,从而成为颇有潜力的高密存储介质。最近几年,人们竞相研究其制备方法,其中主要包括真空淀积法、液相化学合成法和离子注入法等,采用各种措施来提高存储介质的热稳定性和其他磁学性能,并取得巨大进展。     

光记录有机薄膜的扫描隧道显微镜研究

运用扫描隧道显微镜（ＳＴＭ）观察了光记录有机薄膜的微观结构。从微观结构的形貌可以看出光记录后酞菁薄膜上产生了鼓泡。不同能量的激光脉冲产生具有不同细微结构的鼓泡，光盘的性能与鼓泡的尺寸密切相关。研究结果说明ＳＴＭ是研究光盘微观结构的有力工具。     

Multi‐Functional Probe Recording: Field‐Induced Recording and Near‐Field Optical Readout

We demonstrate a high‐speed recording based on field‐induced manipulation in combination with an optical reading of recorded bits on Au cluster films using the atomic force microscope (AFM) and the near‐field scanning optical microscope (NSOM). We reproduced 50 nm‐sized mounds by applying short electrical pulses to conducting tips in a non‐contact mode as a writing process. The recorded marks were then optically read using bent fiber probes in a transmission mode. A strong enhancement of light transmission is attributed to the local surface plasmon excitation on the protruded dots.     

光记录酞菁薄膜

本文研究了酞菁薄膜在红外区域的吸收光谱，报导了该酞菁薄膜的光记录特性．     

Photoluminescence properties and chemical bond variations of SiN x :H films with silicon quantum dots

Hydrogenated silicon nitride(SiNx :H) thin films are deposited on p-type silicon substrates by plasma enhanced chemical vapor deposition(PECVD) using a gas mixture of ammonia and silane at 230 °C.The chemical compositions and optical properties of these films,which are dealt at different annealing temperatures,are investigated by Fourier transform infrared(FTIR) absorption spectroscopy and photoluminescence(PL) spectroscopy,respectively.It is shown that the FTIR presents an asymmetric Si-N stretching mode,whose magnitude is enhanced and position is shifted towards higher frequencies gradually with the increase of the annealing temperature.Meanwhile,it is found that the PL peak shows red shift with its magnitude decreasing,and disappears at 1100 °C.The FTIR and PL spectra characteristics suggest that the light emission is attributed to the quantum confinement effect of the carriers inside silicon quantum dots embedded in SiNx : H thin films.     

Capillary instabilities in thin films

Very thin films, less than 100 nm-thick, are used in a variety of applications, including as catalysts and for thin film reactions to form patterned silicides in electronic devices. Because of their high surface to volume ratio, these very thin films are subject to cap-illary instability and can agglomerate well below their melting temperatures. In order to develop a general understanding of agglomeration in very thin films, we have studied initially continuous and patterned films of gold on fused silica substrates. Two in situ techniques were used to monitor agglomeration: 1) heating and video recording in a transmission electron microscope, and 2) measurement of the intensity of laser light transmitted through a sample heated in a furnace. Electron microscopy allowed inves-tigation of the role of the microstructure of the Au film and analysis of light transmis-sion during heating allowed determination of temperature-dependent and film-thick-ness-dependent agglomeration rates. These results will be described along with models for the agglomeration process.