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适量掺入MgF_2·SrF_2有效地降低了0.85PZN(Pb(Zn_(1/3)Nb_(2/3))O_3)-0.15BT(BaTiO_3)材料的烧结温度并得到了介电常数-温度特性接近于X7R特性标准的瓷料。在很宽的温度范围内出现了双介电常数峰。这种现象可从材料的纳米结构出发,用超顺电态的概念来描述。 相似文献
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含低熔物Bi2O3.nTiO2及PbO-B2O3的BaTiO3基中温烧结瓷料,通过改性物La、Nb等在固-液相烧结过程中溶=析和缺位补偿固液溶,主晶相BaTiO3晶粒形成核-壳结构,并存在玻璃相,这种非均匀结构对铁电相的制约作用引起瓷料的εr-T特性的改变。 相似文献
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适量掺入MgF2.SrF2有效地降低了0.85PZN(Pb(Zn1/3Nb2/3)O3)-0.15BT(BaTiO3)材料的烧结温度并得到了介电常数-温度特性接近于X7R特性标准的瓷料,在很宽的温度范围内出现了双介电常数峰。这种现象可从材料的纳米结构出发,用超顺电态的概念来描述。 相似文献
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采用XRD、SEM、EDAX、粒度分析等手段研究了在(1-x)SrTiO3xBi2O3·3TiO2(简称SBT)系统中采用化学共沉SrTiO3时,Bi2O3·3TiO2的含量对介电性能和显微结构的影响。发现当其摩尔分数x小于10%时,结构为单相固溶体,εr随x的增加而增加;当x大于10%时,为复相结构,εr开始下降。这个结果与采用SrCO3和TiO2固相合成的SrTiO3烧块时的结果相近,变化趋势一致。但化学共沉SrTiO3之晶粒细小,杂质少,故使所制介质具有非常优异的介电性能。 相似文献
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本文对(1-y)(Sr_1-xPbx)TiO_3·y(Bi_2O_3·3TiO_2)陶瓷材料在直流偏压下的介电性能进行了测量,发现此系统瓷料的偏压性能较好,并分析了陶瓷组分时偏压性能的影响,解释了所发现的实验现象。 相似文献
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分别以Bi,Ti,Zr,Sn,W,Nb,Pb等元素的氧化物合成多种不同铋层化合物,用以降低BaTiO3系瓷料烧成温度。通过调整BaTiO3的合成温度、改变铋层化合物的组成和选择合理的工艺条件等试验,探讨含铋层化合物BaTiO3瓷料组成对其性能的影响。以BaO/TiO2为0.99的BaTiO3烧块、钛铋层化合物及稀土元素氧化物配制成的瓷料,其性能符合美国EIA标准X7R指标,制成的独石电容器性能优良 相似文献
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分别以Bi、Ti、Zr、Sn、W、Nb、Pb等元素的氧化物合成多种不同铋层化合物,用以降低BaTiO3系瓷料烧成温度。通过调整BaTiO3的合成温度、改变铋层化合物的组成和选择合理的工艺条件等试验,探讨含铋层化合物BaTiO3瓷料组成对其性能的影响。以BaO/TiO2为0.99的BaTiO3烧块、钛铋层化合物及稀土元素氧化物配制成的瓷料,其性能符合美国EIA标准X7R指标,制成的独石电容器性能优良,稳定可靠。 相似文献
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施受主共掺杂对BaTiO3陶瓷介电性能的影响 总被引:1,自引:0,他引:1
通过传统的球磨工艺,分别以MnCO3、Co2O3为受主杂质,La2O3、Nb2O5、Bi2(SnO3)3为施主杂质对BaTiO3陶瓷进行掺杂。实验表明,BaTiO3陶瓷介电性能跟施主杂质与受主杂质的比例有关。当施主杂质与受主杂质的比例较大时,介电常数-温度(-εT)曲线趋于平缓,BaTiO3陶瓷呈强铁电弥散性,介电损耗-温度(tan-δT)曲线趋于平滑,介电损耗-频率(tan-δf)曲线呈松弛极化损耗特性。当施主杂质与受主杂质的比例较小时,-εT曲线出现较大的居里峰值,BaTiO3陶瓷呈普通铁电体的性质,tan-δT曲线也出现较大峰值,tan-δf曲线表现为电导损耗特征。BaTiO3陶瓷晶粒的"核-壳结构"模型能较好地解释这一现象。 相似文献
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采用Ba-Bi复合掺杂对Y2O3·2TiO2微波介质陶瓷进行改性,以降低其烧结温度并改善其介电性能。在固定Bi2Ti2O7掺杂量为质量分数8%的基础上,研究了BaCO3掺杂量对陶瓷微结构、烧结性能和介电性能的影响。结果表明:当w(BaCO3)为1%时,在较低的烧结温度(约1280℃)下保温2h制备了一种新型中介电常数Y2O3·2TiO2微波介质陶瓷。该陶瓷具有较好的介电性能:在1MHz下,εr≈72.5,tanδ≈2.5×10-3;在微波频率(5.03GHz)下,εr=72.1,Q·f值为2241.0GHz。 相似文献
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研究了PbTiO3和Bi2Ti2O7复合掺杂对新型的具有中介电常数的Y2O3-2TiO2系微波介质陶瓷物相组成、介电性能和烧结温度的影响。结果表明,掺杂后的陶瓷材料主晶相仍为A2B2O7型烧绿石结构,未发现第二相,Bi3+和Pb2+共同占据Y3+所在的A位。Pb/Bi复合掺杂有效降低了陶瓷的烧结温度,当w(PbTiO3)=2%和w(Bi2Ti2O7)=8%时,烧结温度降低为1 260℃,且陶瓷具有较好的介电性能,即介电常数rε≈64,介质损耗tanδ≈3.6×10-3,品质因数与频率的乘积Q×f≈2 438 GHz。 相似文献
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在BaO-Nd2O3-TiO2系统中,以SrTiO3、Bi2O3、MnCO3等作为添加剂,按0.8Ba6–3xNd8+2xTi18O54+0.2SrTiO3+(0.7~1.5)(MnCO3+Bi2O3……)的比例配料,按常规工艺进行磨料、喷雾干燥和成型,在1240~1290℃空气中烧成,保温2h得到无铅IRH-121高频瓷料。研究表明,SrTiO3等添加剂的加入量对瓷料介电性能具有明显的影响。批量生产的瓷料性能:εr为115~130,tanδ为(2.0~3.5)×10–4,αC,–25℃时为–(210~240)×10–6,+85℃时为–(220~240)×10–6。 相似文献
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氧化物掺杂ZnO-Ba_(0.8)Sr_(0.2)TiO_3复合陶瓷的制备及电性能研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用固相法制备了氧化物掺杂ZnO-Ba0.8Sr0.2TiO3复合陶瓷,并利用X射线衍射仪和扫描电子显微镜对其晶相及微观形貌进行了观测;另外,研究了氧化物掺杂对陶瓷介电性能及压敏性能的影响。结果表明,当掺杂摩尔分数为0.50%的Bi2O3和0.50%的Sb2O3时,陶瓷在室温下的εr为36402,tanδ为0.065;在此基础上继续掺入0.25%的MnO和0.35%的Cr2O3,陶瓷的非线性系数α为5.4,漏电流IL为1.5×10–6A/mm2,压敏电压为3.0V。Bi2O3、Sb2O3、MnO和Cr2O3掺杂使ZnO-Ba0.8Sr0.2TiO3复合陶瓷的介电性能和压敏性能同时得到了有效提高。 相似文献
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采用固相合成工艺,制备了(Bi0.5Na0.5)(1–x)CaxTiO3(BNCT)陶瓷(x=0.01~0.14)。研究了Ca含量对BNCT陶瓷介电性能的影响。结果表明,所有BNCT陶瓷样品中都存在第二相TiO2;随着Ca含量的增加,BNCT陶瓷的介电峰向低温方向移动,介温曲线越来越平坦,剩余极化急剧减小,介质损耗逐渐减小。往x=0.12的BNCT陶瓷里掺入质量分数为1.5%的MnCO3,所得陶瓷样品的室温tanδ小于1%、绝缘电阻率达到1011?.cm,并满足–55~+250℃下,?C/C25℃≤±15%的高温MLCC的要求。 相似文献