剥层椭偏光谱法测定As~+注入Si的损伤分布

本文用椭偏光谱测量与阳极氧化剥层相结合的方法,测量了注入能量150keV、注入剂量在10~(13)-10~(16)cm~(-2)范围内的As~+注入Si损伤层的光学性质,得到了光学常数n、k在损伤层内的分布,并用有效介质理论计算出损伤分布.所得损伤分布与损伤理论进行了比较,两者基本一致.     

为SIMOX SOI结构的硅膜和二氧化硅埋层厚度模型

本文提出了一个为SIMOX SOI结构的硅膜和二氧化硅埋层厚度解析模型,适用于0.7—2.0 ×10~(18)cm~(-2)剂量范围和50—300keV能量范围,模型与实验测量在大剂量和低能量情况下仍附合较好。本模型对SIMOX工艺优化设计和发展VLSI TCAD具有参考价值,同时给出了在常规氧注入能量(如150keV)下用增大剂量方法制备TF SOI结构的理论依据。     

硼离子注入硅的剖面分布

本文研究了硼离子注入硅的载流子浓度分布.实验表明,载流子浓度分布可以近似用线性扩散方程的解来描述.因此,通过结深的实验值得到了一套随注入剂量,退火温度和时间变化的扩散系数.用这套扩散系数又可以计算出能量 40-400keV,剂量5×10~(13)-1×10~(15)cm~(-2),退火温度900℃-1100℃,退火时间15分-2 小时这个范围内的载流子浓度分布.     

基于电子束光刻的LIGA技术研究

提出了基于电子束的LIGA(Lithographie，Galvanoformung，Abformung)技术新概念。根据Grune公式就电子束能量对抗蚀剂刻蚀深度的影响进行了理论分析，并在SDS—2电子束曝光机上分别采用5keV、10keV、15keV、20keV、25keV、30keV等能量的电子束对国产胶苏州2号进行了曝光实验，得出了能量／刻蚀深度关系曲线。用5keV、30keV两种能量的电子束，通过改变曝光时间进行了曝光剂量对刻蚀深度的影响实验，得出了曝光剂量—刻蚀深度关系曲线。实验结果表明，增大电子束能量或增强曝光剂量，就可以增大刻蚀深度，证明了基于电子束光刻的LIGA技术不但是可行的，而且更易于加工各种带曲率的微器件。     

用于GaAs贯穿注入和包封退火的AIN薄膜

用直流反应溅射淀积的AIN薄膜作包封介质对GaAs进行了贯穿注入和包封退火。用电化学C－V法测量了载流子的分布。实验结果与TRIM模拟结果符合得很好。用50nm的AIN包封进行贯穿注入和退火，得到了较小的标准偏差，较陡峭的载流子分布和较高的激活率。应用AIN包封层后，当注入能量180keV，注入剂量7．5×10~13cm~－2时，所得到的最高载流子浓度为1．84×10~18cm~－3，样品方块电阻为118Ω／□。     

低剂量SIMOX圆片表层硅缺陷密度

用增强化学腐蚀法研究了低剂量SIMOX-SOI材料表层硅质量与实验参数的关系.结果表明,注入剂量和能量对表层硅质量有明显影响.通过对注入剂量和能量的优化,表层硅线缺陷密度可低于104cm-2.在注入能量为160keV时,获得低线缺陷密度对应的注入剂量为5.5×1017cm-2左右,当注入剂量为4.5×1017cm-2,获得低线缺陷密度对应的注入能量为130keV.     

固体材料中随穿透距离变化的千伏电子能量耗散的测定

现提出了随归一化电子能变化的能耗散分布通用曲线,这条曲线包括在能量归一化因数里被轰击材料的平均原子序数Z。以Bohr—Bethe能量损耗关系式得出的射程能量公式R=kE_B~α在整个有限能量射程是有效的,但在相同的能量范围,原子序数差别很大的材料的指数α不同。就此处所用的铝—二氧化硅—硅系统,发现R_G=4.0E(keV)~(1.75)μg/cm~2对5相似文献   

B~+离子注入p型Hg_(0.8)Cd_(0.2)Te

在77K时对150keV的B~+注入p型HgCdTe进行微分霍尔测量表明:以不同剂量的B~+注入后所形成的n~+层是很明显的。n~+层的厚度取决于B~+的注入剂量,当剂量超过1×10~(13)cm~(-2)时,晶片载流子浓度趋于饱和。     

采用P^＋共同注入改进SI—GaAs Si^＋注入层的电特性

在SI—GaAs Si~+注入层中共同注入P~+可以改进注入层的电特性。P~+的共同注入提高了注入层的激活率和平均霍耳迁移率。对于Si~+注入的剂量和能量分别为4×10~(12)cm~(-2)/30keV+5×10~(12)cm~(-2)/130keV的样品,得到了激活率为75～85％,平均霍耳迁移率为4600～4700cm~2/Vs的结果。另一方面,P~+注入改进了有源层与衬底的界面特性。肖特基势垒技术测量表明,P~+共同注入的样品表现出更好的迁移率分布。深能级瞬态谱(DLTS)测量表明,P~+共同注入降低了激活层中的深能级密度。     

用于VLSI的注入氮化物特性

本文描述了在VLSI研制中通过氮注入形成氮化硅层。在形成各种氮化物层的过程中,注入分子氮能量范围为5到60keV,随后在1000℃的氮中退火。描述在炉中退火前后所形成的氮化物层特性,在不同的IR、SIMS和椭圆对称测量情况中找出局部氧化掩模的有效注入条件。相对于整个注入能量范围,注入氮的最初IR峰值为815cm~(-1)。对于退火后的高能量注入来说该位置会漂移到一个较高的波长数,低能量注入峰值接近于830cm~(-1),上述均与LPCVD为氧化物峰值相比而言。此研究结果认为,低能氧化物的化学成分几乎是可用定量计算的。退火过程中浓度分布向着表面漂移,并将增高峰值区氧的浓度。从氮化物分布剖面看最大值是在表面,而在<10keV时消失。在1000℃的蒸汽中生长5300(?)氧化层进行测试这些氮化物掩模特性。剂量为5×10~(16)N_2~+/cm~(-2)离子的氮化物在注入能量低于40keV会形成有效的氧化掩模。在此实验条件下,在10keV下所形成的氮化层可认为是一个有效的氧化掩模,足以适应选择性地腐蚀SiO_2,减小“鸟嘴”尺寸为常规LOCOS的四分之一。     

Cd_xHg_(1-x)Te中离子投影射程分布矩的计算

本文采用符合于WHB势的核散射函数计算了离子Al~ 、P～ 、S～ 、Zn～ 、Ga～ 、As～ 、Sb～ 注入Cd_xHg_(1-x)Te衬底的投影射程分布的一次至三次矩,并由这些矩给出了投影射程的分布参数——平均投影射程Rp、平均投影射程的标准偏差ΔRp和射程分布的歪斜度(β1)~(1/2)。Al～ 离子的能量范围为50keV～1MeV、其他离子的能量范围为5keV～500keV。结果表明,本文提供的计算值在LSS约化能量ε≥0.5时与Ryssel等新近的计算结果符合得较好,而在低能端,我们得到的Rp值比他们的显著地大。本文也简要地讨论了利用计算得到的射程参数构造注入离子浓度分布的方法。     

低剂量SIMOX圆片表层硅缺陷密度

用增强化学腐蚀法研究了低剂量SIMOX-SOI材料表层硅质量与实验参数的关系.结果表明,注入剂量和能量对表层硅质量有明显影响.通过对注入剂量和能量的优化,表层硅线缺陷密度可低于104cm-2.在注入能量为160keV时,获得低线缺陷密度对应的注入剂量为5.5×1017cm-2左右,当注入剂量为4.5×1017cm-2,获得低线缺陷密度对应的注入能量为130keV.     

半导体激光器近场分布测量系统

基于半导体激光器远场分布新模型和反源计算方法，建立了一套半导体激光器近场分布测量装置。系统的测量机制是利用测量的远场数据，反源计算近场分布。该装置由计算机控制，自动完成远场产及拟合处理，经反源计算得到近场分布。     

对背面电子照射ICCD成象器氧化硅层X射线总剂量的测量

现已计算了增强电荷耦合器件(ICCC)中与氧化硅层吸收X射线总剂量有关的电压和电子流量,该器件是以背面电子照射形式工作。计算是依据光谱强度分布和实际器件Si-SiO_2界面的纯剂量测量进行的。它表明:微量的入射电子能被转换成产生并透过约10μm硅片的X射线,在1万电子伏时约1×10~(-4),在2万电子伏时约3×10~(-4)。在发射的X射线总能量中,差不多1.5％被100nm的SiO_2所吸收。在1.732千电子伏时,X射线能的85—97％是在特性曲线Kα线中。从10μmSi片背面入射,淀积在SiO_2内每一个电子的剂量是D=9.7×10~(-14)E(keV)~2·~2rad(SiO_2)/e~-cm~(-2),从13μm硅片背面入射,淀积在SiO_2里的每一个电子的剂量D=3.5×10~(-14)E(keV)~2·~(44)rad(SiO_2)/e~-cm~(-2)。在阴天星光亮度条件下(～10~(-4)lux),以10,15,20kV电压工作的标准ICCD的氧化物里,剂量淀积的速率分别是2.3,6.3,12.7rad(SiO_2)/小时。对应这些剂量的比率,特别是在工作电压降低的条件下工作时,希望兆拉德淬火的电荷耦合器件在微光ICCD电视摄象管里有长达10万小时的有效工作寿命。     

一种提高羟基分子示踪速率测量精度的方法

为了尽量减小羟基(OH)分子示踪流场速率测量误差、提高测量精度,利用OH分子标记线沿宽度方向的强度分布近似为高斯函数的特征,用高斯函数对实验测量数据进行了拟合,用拟合数据的峰值位置作为OH分子标记线的中心位置,并以此作为测量基准位置,对典型的OH分子示踪速率测量数据进行了处理.结果表明,采用这一数据处理方法,可使流场速率计算精度明显提高.     

磷砷注入对沟槽MOSFET静态参数的影响北大核心

为了降低沟槽MOSFET器件导通电阻，提出了在传统沟槽MOSFET器件体区注入N型杂质的方案，优化了体区杂质浓度分布，从而降低导通电阻。经仿真验证，选择N+源区注入后注入砷，在能量为300 keV,剂量为7×1012cm-2条件下，特征导通电阻能降低13%,阈值电压降低21.8%;选择接触孔刻蚀后注入磷，在能量为100 keV,剂量为4×1012cm-2条件下，特征导通电阻降低4.3%,阈值电压几乎不变。     

光纤间光的耦合研究

使用简化为一维积分的数值方法计算分析了光纤耦合效率和接收光功率,为应用时的设计计算和测量数据的分析计算提供了一个准确方法。62．5／125多模光纤在高斯光强分布下的数值计算结果与实验测量结果的一致性表明,高斯光束可以较好地表示光纤光强的分布。对光纤耦合系数和近场范围内的光纤接收光强的测量数据的分析必须使用准确的方法计算,近似方法存在较大的误差。     

X射线在Au-SiO_2界面剂量增强系数与Au厚度关系的模拟研究北大核心CSCD

用蒙特卡罗（MonteCarlo）方法计算Au—SiOz界面的剂量增强系数（DEF）随能量的变化关系及不同厚度的Au对Au—SiOz界面剂量增强系数的影响。结果表明：界面下的DEF与Au的厚度有关,当Au厚度从1gm增加到9tam,DEF随之增大;当Au厚度超过9tam,随Au厚度增加DEF减小。当x射线能量为10～250keV时,界面附近SiO。一侧存在不同程度的剂量增强,而且在整个能量范围内出现了两个明显的峰值,其中剂量增强系数最大值达40．4。     

Si中注入Zn的辐射损伤

用高分辨的背散射-沟道效应测量了180及 350keV Zn注入 Si中的辐射损伤.注入剂量在1× 10~(15)-1× 10~(17)/cm~2范围内.实验表明,非晶层和单晶的界面深度 x_(A-C)随剂量(?)及注入能量E的增加而单调地增加.这些参数之间的变化关系符合直接碰撞导致非晶化模型,即每一个注入离子由于级联碰撞使表面局部的小区域非晶化.随着剂量的增加,这些非晶态的小区相互重叠而形成一无定形层.     

飞秒激光中镜向超热电子能谱的测量

报道了在20TW飞秒激光器上采用电子磁谱仪和γ射线谱仪探测器分别对激光-固体靶相互作用镜向产生的超热电子的能谱及其韧致辐射谱进行的测量。能谱测量结果显示：超热电子能谱呈类麦克斯韦分布,拟合的温度约为154keV,这与已知的温度定标率较好地吻合;韧致辐射谱拟合的温度约为141keV,如果考虑到电子的碰撞效应,二者的测量结果是一致的。这是由于几种加热机制共同作用的结果,其中占主导地位的加热机制是反射激光对电子的加热。