铝掺杂氧化锌（AZO）薄膜的电学性质研究

真空蒸发醋酸锌和氯化铝，在加热的玻璃基片上制备出铝掺杂的氧化锌透明导电薄膜。研究了薄膜的结构和电导率随掺杂功率的变化以及真空退火处理对薄膜电导率的影响。     

真空气相沉积制备碲化镉薄膜的电学和光学特性

用真空气相9沉积法，同时蒸发Cd和Te材料，在玻璃衬底上沉积CdTe薄膜。对CdTe薄膜掺杂In，并氮气作保护气体，在不同温度和时间下对薄膜进行热处理，研究薄膜的电学特性和光学特性。结果表明，用真空气相沉积法制备的CdTe薄膜的电学、光学特性和由其他方法制备的CdTe薄膜的电学和光学特性基本一致。     

低温沉积硅薄膜电池及其在塑料衬底上的应用

采用射频等离子体增强化学气相沉积(RF-PECVD)技术,保持衬底温度在125℃沉积硅薄膜材料及电池,研究了硅烷浓度、辉光功率等沉积参数对材料和电池性能的影响。在125℃的低温条件下,通过优化沉积工艺,在玻璃衬底和PET塑料衬底上分别制备出效率达到6.8%和3.9%的单结非晶硅电池。在PET衬底上,将低温沉积非晶硅电池的技术应用于的叠层电池的顶电池,制备出效率为4.6%的非晶/微晶硅叠层电池。     

蒸发制备ZnO薄膜的结构及光学电学特性的研究

以乙酸锌作为蒸发物质，采用真空蒸发技术，在加热的玻璃衬底上制备出高捏的ＺｎＯ透明导电薄膜，并对其结构，光学和电学特性进行了研究。     

真空气相沉积碲化镉薄膜特性研究

用一种简便的制备CdTe薄膜的方法－真空气相沉积法，在玻璃衬底上沉积CdTe薄膜。在真空度为133μPa真空室中，同时蒸发Cd Te材料，形成CdTe薄膜。为改善其性能，采用改良Cd:Te的原子配比和在Cd Te材料中掺杂In，用N2作保护气体，要不同温度下对薄膜进行热处理。通过SEM、XRD，SAM和AES等测试分析，分别研究了热处理前后CdTe薄膜的结构、组分及工艺条件对薄膜性能的影响。     

化学水浴法沉积CdS多晶薄膜

介绍了用化学水浴法沉积ＣｄＳ的方法。ＳＥＭ、ＸＲＤ以及透射光谱等分析表明，沉积在玻璃载片上的ＣｄＳ膜，均匀、透明、密实，适合制作太阳电池窗口材料。同时简述了ＣｄＳ膜生长、生成的化学过程和机理。     

GaAs半导体薄膜电沉积的研究

利用改进试验装置,及在简单盐溶液中加入添加剂的方法,电沉积制备出ＧａＡｓ薄膜。扫描电镜和Ｘ射线衍射仪测试结果表明,薄膜成分更接近化学计量比１：１,各次试验数值分散性小,厚薄均匀。     

电共沉积InGaAs薄膜材料

阐述了电共沉积方法制备发射光波长近于1.3-1.5um的InGaAs薄膜材料,用能谱分析仪进行薄膜成分分析,用分光光度计和单色仪测量薄膜的透射率,同时测量了薄膜I－V特性,导电类型,厚度及其表面形貌,分析结果表明该方法是半导体薄膜材料制备的一种新途径。     

RTCVD沉积轻掺和不掺硼多晶硅薄膜结构和电学性能的研究

利用快速加热化学气相沉积(RTCVD)系统在高纯石英衬底上分别制备了轻掺和不掺硼的多晶硅薄膜,并利用XRD、SEM高阻Hall测量和光电导谱测量技术研究了它们的结构和电学性能.结果表明,1150℃在石英衬底上生长的本征多晶硅薄膜具有[111]择优生长取向,而轻掺硼的多晶硅薄膜则同时具有[311]和[200]两个晶向上的择优取向.通过轻微掺入硼,多晶硅薄膜晶粒尺寸分布的均匀性得到了很大改善.高阻Hall测量表明轻掺硼的多晶硅薄膜具有更高的Hall迁移率因而具有更好的电学性能.光电导谱则量结果表明所制备的多晶硅薄膜的光学带隙与晶体硅的非常接近,在1.1eV.     

CIGS电池缓冲层CdS的制备工艺及物理性能

在含有醋酸镉、醋酸氨、硫脲和氨水的水溶液中,化学沉积CdS半导体薄膜,薄膜的厚度与搅拌强度有很大关系,表明薄膜的生长速度是由OH-和SC(NH2)2的扩散传质为控制步骤。CdS薄膜的电阻率在104~105Ω.cm之间。CdS薄膜的晶格在乙酸胺浓度较小时,为六方晶和立方晶混合结构;乙酸胺浓度较大时,为立方晶结构。利用六方晶与立方晶混合的CdS制备的CIGS太阳电池,光电转换效率最大可达12.1%,3.5×3.6cm2小面积组件为6.6%。立方相CdS制备的最佳电池效率达到12.17%。两种晶相结构的CdS薄膜对CIGS太阳电池的性能影响没有明显的差别。     

Fe膜硫化合成不同厚度的FeS2薄膜组织结构与电学性能

对热蒸镀的不同厚度纯Fe膜进行硫化处理,制备了厚度在70~600nm范围内变化的FeS2薄膜,研究了薄膜厚度对FeS2薄膜组织结构和电学性能的影响。结果表明,虽然不同厚度的FeS2薄膜晶格点阵畸变度不同,但晶粒均较为细小。较厚的薄膜表面更为平整并且组织更为均匀。随薄膜厚度增加,载流子浓度下降而迁移率上升。当膜厚超过400nm后,载流子浓度上升而迁移率下降。在膜厚约为130nm时,电导率出现极大值。     

退火气氛对Al-F共掺杂ZnO薄膜结构和光电性能的影响

用射频磁控溅射法制备了Al-F共掺杂ZnO（ZnO（Al,F））透明导电薄膜,研究了不同退火气氛对ZnO（Al,F）薄膜的结构、电学和光学特性的影响。结果表明:在真空和还原性气氛中退火后的薄膜透光率呈现"蓝移"趋势,在空气中退火处理后的薄膜透光率则表现为"红移";在真空中,400℃×60min的退火处理,使ZnO（Al,F）薄膜的电阻率降低至1.41×10^-3Ω·cm,透光率则上升到93%以上,有效提高了薄膜的光电特性;所有退火气氛下,薄膜均具有（002）单一择优取向的多晶六方纤锌矿结构;薄膜的晶粒尺寸为25～30nm。     

厚度对FeS2薄膜的光电性能的影响

采用Fe膜硫化工艺制备不同厚度的FeS2薄膜。研究了不同厚度FeS2薄膜的晶体结构，电阻率，载流子浓度，光吸收系数以及禁带宽度（Eg)。结果表明，随着薄膜厚度的增加，FeS2的电阻率升高，载流子浓度下降，在高吸收区FeS2薄膜的光吸收系数也呈下降趋势。当薄膜厚度小于130nm时，薄膜厚度增加可导致其禁带宽度上升，当薄膜厚度大于130nm时，薄膜厚度增大反而会导致禁带宽度下降。     

ZnO:Al绒面透明导电薄膜的制备及分析

利用中频脉冲磁控溅射方法,采用Al掺杂(质量百分比2%)的Zn(纯度99.99%)金属材料为靶材制备平面透明导电ZnO:Al(ZAO)薄膜。利用湿法腐蚀方法,将平面ZAO薄膜在0.5%的稀盐酸中浸泡一定时间后,形成表面凹凸起伏的绒面结构。研究了平面ZAO薄膜的结构特性以及衬底温度、溅射功率和腐蚀时间对绒面ZAO薄膜表面形貌的影响,并对腐蚀前后薄膜的电阻变化进行了分析。结果表明:高温、低功率条件下制备的绒面ZAO薄膜表面形貌较好,在硅薄膜太阳电池中具有潜在的应用前景。     

CdS/CdTe太阳电池中CdS多晶薄膜的结构和光学性能

采用XRD,AFM,XPS和光学透射谱对化学水浴法制备的CdS多晶薄膜进行了测试分析。刚沉积的CdS多晶薄膜均匀、透明、致密,主要呈现立方结构;Cd和S的原子百分比约为1 10;能隙(Eg)约为2 47eV。在不同温度下后处理会出现六方结构和3CdSO4·8H2O衍射峰,同时晶面择优取向发生了变化。通过沉积高质量的CdS薄膜,获得了效率约13 4%的CdS/CdTe小面积太阳电池。     

玻璃衬底和硅衬底沉积TZO透明导电薄膜的对比研究

利用直流磁控溅射法在室温水冷玻璃衬底和硅片衬底上制备出掺钛氧化锌(ZnO∶Ti)透明导电薄膜。SEM和XRD研究结果表明,两种衬底上的ZnO∶Ti薄膜均为为六角纤锌矿结构的多晶薄膜,且具有c轴择优取向。讨论了衬底对掺钛氧化锌透明导电薄膜光学、电学性能的影响。当玻璃衬底薄膜厚度为568nm时,薄膜电阻率达到最小值1.64×10-4Ω.cm,硅衬底上薄膜厚度为641nm时有最小电阻率2.69×10-4Ω.cm。两种衬底所制备薄膜都具有良好的附着性能,玻璃衬底薄膜样品在波长为500~800nm的可见光中平均透过率都超过了91%,硅衬底上薄膜样品的折射率约为2.05,ZnO∶Ti薄膜可以用作薄膜太阳电池的透明电极。     

不同络合剂对化学水浴法制备ZnS薄膜性能的影响

研究了不同络合剂对化学水浴法制备太阳电池用ZnS薄膜性能的影响。研究指出,在相同的浓度下以EDTA为络合剂时,由于其对锌离子的络合能力最强,无法生成ZnS薄膜,而以肼与柠檬酸钠为络合剂时,成功制备成ZnS薄膜。结果还表明,采用柠檬酸钠为络合剂,在搅拌条件下制备出的ZnS薄膜适用于CIGS太阳电池的过渡层。最后实验利用FE—SEM、XRD、紫外—可见光吸收谱,透射谱和反射谱研究了ZnS薄膜的性能。     

溶胶凝胶法制备SnO2:Sb膜的光学电学性能

以金属无机盐SnCl2 ·2H2 O和SbCl3 为原料 ,用溶胶凝胶浸渍法制备掺锑SnO2 透明导电薄膜 ,并对其电学参数(如方块电阻、霍尔迁移率、载流子浓度和类型 )和光学参数 (如透射反射率、光学能隙 )进行测试分析。XPS分析确定薄膜中掺杂锑离子主要以Sb5+ 形式存在。薄膜的方块电阻最低可达 85Ω/□ ,霍尔迁移率在 2 .5～ 3.6cm2 V-1s-1,膜厚约1μm时可见光透射率约为 85 % ,反射率低于 15 %。     

低功率共溅射再硒化法制备CuInSe2薄膜

采用Cu、In双靶,直流磁控溅射的方法制备Cu-In薄膜,然后采用固态源硒化的方法形成CuInSe2(CIS)薄膜.采用SEM和EDX观察和分析了样品的表面形貌和成分,用XRD表征了薄膜的组织结构.分析了硒化中的反应过程并研究了热处理对改善薄膜质量的影响.结果表明,Cu-In预制膜主要以CuIn相形式存在.由CuIn相为主相的预制膜制成的CIS薄膜具有单一的CuInSe2相黄铜矿结构,且其成分接近CuInSe2化学计量比.