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可控硅交流调压整流输出残压的分析及消除 总被引:1,自引:1,他引:0
为消除传统交流调压电路用低杂波电流驱动 (LHCD)电源时高达数kV的直流残压 ,分析了可控硅交流调压器的等效电路 ,该结果表明残压产生的原因是变压器励磁电感和可控硅过压保护电容形成了谐振电路。在此基础上提出了一种新型可控硅换相过压保护接线法 ,分析表明该法既可防止可控硅过电压和过大的du/dt,又可有效消除直流侧残压 ,大大提高了LHCD装置运行的安全性。 相似文献
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近年来,随着金属氧化物避雷器应用日益广泛,在应用中遇到不少问题,现就以下几个问题进行探讨: 1 保护特性和可靠性的关系 金属氧化物避雷器的保护特性主要是指雷电冲击残压、陡波冲击残压和操作波冲击残压,绝缘配合上要求低于设备的绝缘水平,绝缘配合系数为1.25以上。残压越低,保护特性越好。但不能太低,过低会影响直流或工频参考电压达不到要求,从而影响避雷器本身的运行可靠性。 相似文献
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在配网就地馈线自动化保护逻辑中,将配网没有电压的情况下,来电前电网瞬时性的来电称为残压。针对设备再次来电前的残压,设备需要闭锁合闸,因此残压检测模块需要满足残压检测、闭锁、参数设置和规约上送等逻辑。设计了基于低功耗芯片MSP430FR2111并配合MCU睡眠、脉冲唤醒采集、低功耗串口规约通信的软硬件系统。在实现残压检测功能的同时,模块的超低功耗也降低了FTU整组的功耗,延长了检测模块的使用时间。通过芯片的低功耗串口制定合理、可扩展的规约,实现了残压限值、时间设定、残压值读取等功能。经过实验验证,采用残压检测模块的配电终端完全满足技术检测标准,并具备批量化、可移植、可定制化应用的能力。 相似文献
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动态无功补偿装置残压对固态继电器的影响及综合保护 总被引:2,自引:0,他引:2
针对固态继电器在动态无功补偿应用中的故障,就电容切除时固态继电器上出现的残压进行了理论和实验分析,探讨了实际运行中由于该残压损坏固态继电器造成补偿装置故障的原因。从固态继电器参数选择和保护电路设计两方面提出了综合保护措施。据此研制出的动态无功补偿装置故障率大大降低,验证了研究的正确性。 相似文献
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针对大容量电动机对厂用6kV备用电源保护的影响进行了简略的分析,从6kV母线残压及6kV备用电源过流保护的角度着手,对消除其影响的措施进行了探讨。 相似文献
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使用ETAP仿真软件对某变电所进线三相短路故障进行了双电源快速切换分析。结果表明,在发生进线三相短路故障快速切换过程中,母联开关和电动机保护的冲击电流不大于电流保护整定值,快速切换装置切换成功,仿真和实际切换过程具有一致性。但是,快速切换成功的原因并不是满足快速切换的四个条件,而是由于三相短路故障母线残压衰减快满足母线残压切换条件,但又能达到快速切换的目的。 相似文献
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