710系列：固态硬盘

英特尔公司推出英特尔固态硬盘710系列。这是一款面向数据中心的专用多层单元（MLC）固态硬盘,采用了英特尔25纳米级特选高品质的MLCNAND闪存和英特尔高耐用性技术,可以为数据中心、金融服务、嵌入式、互联网门户、     

英特尔发布采用25nm制程第三代固态硬盘

英特尔公司宣布推出用户期盼已久的第三代固态硬盘（SSD）产品——英特尔固态硬盘320系列（Intel SSD 320 Series）。基于行业领先的25nm制程NAND闪存,英特尔固态硬盘320系列构建于高性能的英特尔X25-MSATA固态硬盘的基础之上,并成为了它的继任者。由于该系列产品充分利用了25nm制程技术的成本优势．     

英特尔发布第三代固态硬盘320系列

英特尔公司宣布推出用户期盼已久的第三代固态硬盘(SSD)产品——英特尔固态硬盘320系列)。基于行业领先的25纳米制程NAND闪存,英特尔固态硬盘320系列构建于高性能的英特尔X25-M SATA固态硬盘的基础之上,并成为了它的继任者。这款全新产品不但具备更强大的性能和独一无二的可靠性优势,还提供了多种更高存储容量的选择。此外,由     

英特尔发布510系列固态硬盘

英特尔公司日前发布了其固态硬盘（SSD）产品线中的全新系列产品——英特尔510系列固态硬盘。新款的英特尔510系列固态硬盘拥有高速的SATA 6Gbps性能,可充分利用近期发布的第二代英特尔酷睿处理器平台上提供的更高速SATA总线接口。     

美光·英特尔联盟将投产34nm工艺多值NAND型闪存

美国美光科技与英特尔将从2008年下半年开始量产采用34nm工艺技术的多值NAND型闪存。该闪存1个芯片的容量为32Gbit,可用于SSD（固态硬盘）。容量比32Gbit小的多值和非多值（SLC：单层单元闪存）产品也将陆续在2008年内投产。     

希捷开始发售Pulsar XT．2固态硬盘（SSD）

希捷科技日前开始向渠道发售Pulsar XT．2固态硬盘（SSD）,该SSD产品结合了卓越而一致的性能和最严苛的企业环境所需的数据完整性与耐用性：这是希捷推出的首款多层单元（MLC）闪存SSD产品。Pulsar XT.2固态硬盘将单层单元（SLC）闪存与本机6Gb／s串行连接SCSI（SAS）接口结合在一起,是希捷产品组合中速度最快的硬盘。     

英特尔推出120GB固态硬盘

英特尔公司为英特尔固态硬盘（SSD）产品家族再添120GB＂新丁＂。固态硬盘可以替代PC里的传统硬盘,显着地提高笔记本和台式机性能——这也使得固态硬盘成为现在个人计算领域中最热门的技术趋势之一。     

Intel超强性能企业级固态硬盘X25-E出货

Intel公司2008年9月初正式发布了自己的SSD固态硬盘产品线,当时针对消费市场的XJ8-M和X25-M已经开始发售。10月15日Intel则宣布,针对企业市场的更高性能型号X25-E已经开始出货。X25-E为2．5寸规格,采用50nm212艺SLCNAND闪存颗粒,通过采用10通道NAND读写架构、NCQ等技术,读取速度达到250MB／s,写人速度为170MB／s。在企业用户更为关心的I／O性能方面,X25-E在4kB随机读取可达到35000 IOPS,4kB随即写入达到3300IOPS,读取延迟75ms,平均无故障工作时间200万小时。     

存储技术

510系列:固态硬盘英特尔公司推出英特尔510系列固态硬盘。新款的英特尔510系列固态硬盘拥有高速的SATA 6Gbps性能,可充分利用近期发布的第二代英特尔酷睿处理器平台上提供的更高速SATA总线接口。它支持高达500MB/s的数据传输,顺序读取速度提高达一倍,同时支持高达     

SanDisk开发出32纳米NAND闪存技术

SanDisk和东芝公司日前宣布，两公司使用32纳米（nm）处理技术生产出32GB 3bits／单元（3-bits—per—cell）（X3）存储芯片，共同开发出多层式芯片（MLC）NAND快闪存储器。该项突破预期将很快为从存储卡到固态硬盘（SSD）等市场带来能够提高产品容量、降低制造成本的先进技术。32纳米是迄今为止最为先进的闪存技术，它需要先进的解决方案来管理性能规格的变化。32纳米技术将数种创新技术结合起来，与摩尔定律中的趋势线相比，模片区大幅度减小。     

企业级固态硬盘RealSSDP300

美光科（Micron Technology，Inc）推出RealSSDP300固态硬盘（SSD），为企业环境带来了更快的系统性能和更好的数据完整性。RealSSDP300硬盘采用了SATA6Gb／s接口，这在企业固态硬盘市场还是首例。新款P300固态硬盘每秒输入，输出操作（IOPS）稳定，读写次数分别高达44000次和16000次一写入性能为与之竞争的SATA固态硬盘的15倍多。     

20nm制程技术：新纳米制程技术

英特尔公司和美光科技公司针对NAND闪存的制造环节推出了一项更为精密的全新20nm制程技术。该技术将用于生产8GB容量的多层单元（MLC）NAND闪存设备,这种设备可为在智能手机、平板电脑和固态硬盘（SSD）等计算解决方案中保存音乐、视频、书籍和其他数据提供兼具大容量和小尺寸特点的存储产品选择。     

技术动态

英特尔推出业内首款34nm NAND闪存固态硬盘本刊讯(记者杨海峰)7月21日英特尔公司宣布已经开始采用更为先进的34nm生产流程制造其领先的NAND闪存固态硬盘(SSD)。SSD是电脑硬盘的替代品。凭借更小的芯片尺寸和先进的工程设计,34nm产品将使SSD的价格     

相对于混合型HDD，缓存SSD仍将是主流超级本存储解决方案

据IHS iSuppli公司的存储产业市场简报，对于越来越受欢迎的超级本来说，含有内置NAND闪存层的混合型硬盘（HDD），可能具有整合存储的优势，但缓存固态硬盘（SSD）凭借其灵活性，仍将是超级本的主流存储解决方案。     

蓄势待发的SSD

SSD是固态硬盘（Solid-State Driver,也有写成Solid-State Disk）的缩写。固态硬盘用来代替传统硬盘,虽然在固态硬盘中已经没有旋转的盘片,但由于是硬盘的替代品,而且外观与接口几乎和传统硬盘一样。因此依照人们的命名习惯,这类储存装置仍然称为“硬盘”。     

英特尔携手美光推出业内最小、最先进的20nmNAND闪存工艺技术

英特尔公司和美光科技针对NAND闪存的制造环节推出了一项更为精密的全新20nm工艺技术。该技术将用于生产8GB容量的多层单元（MLC）NAND闪存设备,这种设备可为在智能手机、平板电脑和固态硬盘{SSD）等计算解决方案中保存音乐、视频、书籍和其它数据提供兼具大容量和小尺寸特点的存储产品选择。     

Macbook Air引领NAND Flash Storage新潮流

根据集邦科技（Trendforce Corp.）旗下研究机构DRAMeXchange表示,固态硬盘（Solid State Drive）一直为Flash厂商所寄予厚望的产品,主要是单一固态硬盘的NAND Flash消耗量是随身碟的数倍之多,     

霍尼韦尔为Stratos产品线引进增强功能

英特尔公司和美光科技公司宣布推出世界上首个25纳米NAND技术一该技术能够增加智能手机、个人音乐与媒体播放器（PMP）等流行消费电子产品，以及全新高性能固态硬盘（SSD）的存储容量，提供更高的成本效益。     

SanDisk推出两款新型固态硬盘（SSD）

SanDisk（NASDAQ：SNDK）宣布推出两款专为移动设备所设计的新型固态硬盘（SSD）。其中,U100SSD承接深受好评的SanDisk P4模块化固态硬盘,为其新一代产品,为超薄笔记本电脑设计带来更具弹性及成本效益的解决方案。     

基于FPGA的固态硬盘的设计与实现

文中基于FPGA芯片对特殊接口固态硬盘进行设计。在详细介绍固态硬盘控制器硬件设计的基础上，重点介绍固态硬盘控制器的软件设计。在固态硬盘闪存转换层中的地址映射算法中引入哈希表格，并提出一种综合块的有效页数、擦除次数和特殊性的磨损均衡算法，以减少逻辑地址到物理地址的转换时间和磨损均衡过程中有效数据的搬移量。同时，根据流水线的思想，将固态硬盘的读写过程划分为多个子操作，通过不同子操作间的并行处理，改善固态硬盘的读写性能。硬件测试结果表明，哈希表和磨损均衡算法的使用可以显著改善固态硬盘的性能。