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基于碳化硅的原料特点,分析了反应烧结、热压烧结、无压烧结、热等静压烧结碳化硅陶瓷的工艺特点和物性参数,介绍了碳化硅材料在有色冶金领域的传统应用及新应用情况。 相似文献
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针对红土镍矿浸出工艺特点,论述了该工艺控制方案和检测仪表选型要求,重点阐述了加压釜排料工艺设计方案及排料控制阀的选型特点,介绍了加压釜排料闪蒸器的工艺特点、控制要求和闪蒸器液位检测方法. 相似文献
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氧压浸出是锌冶炼强化浸出工艺,氧压浸出工艺的锌浸出率和回收率是最高的。常规方法和高温高酸法沸腾焙烧硫化锌精矿生产工艺,冶炼过程中产生SO_2烟气,同时制酸过程产生的废水需处理。氧压浸出工艺输出元素硫,不释放SO_2烟气。由于富氧高压高温高酸的冶炼环境,氧压浸出高压对设备的要求较高。本文阐述浸出物料在减温减压过程中,经过预闪蒸器套管时,对该套管的腐蚀冲刷损伤,以及改进材质、结构等方面的生产实践。 相似文献
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碳化硅耐火制品历来用于砌筑竖罐、制造塔盘和马弗炉胆等。做铝电解槽内衬、制浮选机叶轮和高温换热器,是近年来的新发展。文章综述国内外碳化硅制品发展趋势,提出集中力量、提高质量、开发新品种、实行企业联合的建议。 相似文献
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介绍了氧压浸出设备基本的防腐内衬结构。结合实际工作经验,阐述了对于氧压浸出设备防腐内衬搪铅、胶泥配制与涂刮、砖板砌筑等施工要求。同时,针对防腐内衬施工中出现的问题对设计工作提出了几点建议。 相似文献
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本文用氧化铝、碳化硅、氧化锆三种不同粒度的介质材料作为辅助材料,采用1 150℃、1 050℃两种烧结温度对铁基压坯材料进行微波烧结,获得不同物理性能、微观特征的铁坯,探讨不同介质材料对微波烧结的作用机理。结果表明,介质陶瓷材料对微波烧结金属铁基压坯有促进作用,其组织致密性、硬度明显高于无介质辅助加热。其辅助加热的作用是通过介质材料在微波加热过程中,由于存在介质损耗,介质分子间互相产生摩擦,引起介质温度升高,使介质材料内部、外部几乎同时加热升温,形成体热源状态,缩短了热传导时间,且物料内外加热均匀一致。介质材料影响由大到小依次是碳化硅、氧化锆和氧化铝,而粒度则影响不大。 相似文献
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简单介绍了氧压浸出技术,及其重要设施闪蒸槽、调节槽的结构原理及其重要性。主要阐述了影响调节槽冒槽的因素及解决措施。 相似文献
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正闪蒸自蒸发器在给料浆降温降压的过程中会产生大量的二次蒸汽,如果能够充分的利用这部分二次蒸汽,会节省大量的新蒸汽而产生可观的经济效益。但该设备生产过程中一直存在闪蒸二次蒸汽带料的问题,本文就这一问题进行分析。东海氧化铝有限公司二期溶出工艺,采用了目前国际先进水平的拜耳法生产氧化铝的关键技术——套管预热+压煮器溶出的高压溶出机组。该系统采用了九级套管二次汽预热、一级套管新蒸汽加 相似文献
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分析了硫化镍精矿氧压浸出的机理,并详细考查了浸出温度、釜压、初始酸度和反应时间等对反应过程的影响。结果表明,在反应温度110℃、初始酸度80g/L、釜压0.8 MPa、反应时间4h的条件下,镍浸出率≥98%。 相似文献
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一、高温结构用陶瓷概要日本黑崎窑业(株)的氮化硅系、碳化硅系、铝系、锫系等的精密陶瓷总称为“库罗舍拉姆”而库罗舍拉姆——N,是该公司开发的高温结构用陶瓷的氮化硅—碳化硅复合烧结体。 相似文献
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《稀有金属》2019,(11)
无压烧结,也称常压烧结,是获得致密且复杂形状的陶瓷材料最常用且经济的烧结方式。在无压烧结过程中,通过烧结助剂、工艺或制度对所获得陶瓷的微组成和结构进行调控,是提升陶瓷制品致密度和性能的关键。从超高温陶瓷材料的研究背景和意义出发,总结了国内外近年来超高温陶瓷的发展趋势,以及在超高温陶瓷无压烧结致密化和微结构调控方面的研究进展。陶瓷粉体的表面能大于多晶烧结体的晶界能,二者的差异是陶瓷烧结的驱动力。因此,加快陶瓷无压烧结致密化有两种途径,一种是增大原料粉体的表面能;另一种是降低多晶陶瓷的晶界能。以最重要的超高温陶瓷的体系二硼化锆(ZrB_2)为例,展开论述。实现超高温陶瓷无压烧结致密化途径的主要方法有3种:(1)降低原料粒径,提高粉体表面能;(2)去除粉体表面氧污染,增大粉体的烧结活性;(3)引入能与陶瓷基体晶界润湿的液相,降低多晶陶瓷晶界能。文章围绕这些措施在实践中的具体应用而展开, ZrB_2陶瓷的晶粒形态和尺寸也可以在这些过程中得以调控。最后,文章还对超高温陶瓷无压烧结的发展前景进行了展望。 相似文献
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以氮化铝和纳米碳化硅为原料,无烧结助剂,1 600 ℃下保温5 min,放电等离子烧结(以下简称SPS),制备了AlN-SiC复合陶瓷.利用扫描电镜,能谱分析仪,XRD,安捷伦4284A LRC阻抗分析仪等对其致密度,显微结构,表面成分,生成的主要物相,介电损耗和介电性能进行分析.结果表明,AlN-SiC复合陶瓷的致密度在91%以上,物相主要有作为原料的AlN和β-SiC,以及烧结之后生成的2H-SiC和Fe5 Si3;随着SiC含量的增加,材料的介电损耗,介电常数相应增加;SiC含量在30%~40%(质量分数,下同)之间,1 MHz以下的损耗角正切tanδ≥0.3,表明纳米SiC具有较强的吸波性能.相同含量的碳化硅,材料的介电常数和介电损耗随着频率的增加而降低. 相似文献