| 氧化结合法制备多孔碳化硅陶瓷及其特性 |
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| 引用本文： | 白成英,苏魁范,邓湘云,李建保,王春鹏,景亚妮.氧化结合法制备多孔碳化硅陶瓷及其特性[J].硅酸盐通报,2013,32(9):1699-1703. |
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| 作者姓名： | 白成英 苏魁范 邓湘云 李建保 王春鹏 景亚妮 |
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| 作者单位： | 海南大学材料与化工学院热带岛屿资源先进材料教育部重点实验室,硅锆钛资源综合开发与利用海南省重点实验室,海口570228;海南大学材料与化工学院热带岛屿资源先进材料教育部重点实验室,硅锆钛资源综合开发与利用海南省重点实验室,海口570228;天津师范大学物理与电子信息学院,天津300387;海南大学材料与化工学院热带岛屿资源先进材料教育部重点实验室,硅锆钛资源综合开发与利用海南省重点实验室,海口570228;清华大学材料科学与工程系,北京100084 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目(50872093);国家高技术研究发展计划(863)项目资助(2012AA03A610) |
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| 摘 要： | 以不同粒径碳化硅为骨料,羧甲基纤维素钠(CMC)为粘结剂,在大气中利用碳化硅颗粒表面氧化成的SiO2粘接在一起低温合成多孔碳化硅陶瓷.分析了粒径大小、烧结温度、成型压力对氧化结合多孔碳化硅陶瓷特性的影响.用TG-DSC、XRD、SEM研究了碳化硅陶瓷的氧化性能,物相组成,微观形貌.结果表明:原始粒径越小,碳化硅陶瓷的活性越高,相应的氧化程度越高,在1μm时氧化率最高达到49.58％,但其在1000℃保温100 h质量增重也最高达7.53％;随着烧结温度升高,碳化硅氧化率增加,气孔率相应地降低;成型压力也对碳化硅陶瓷的氧化率,气孔率产生一定影响.
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| 关 键 词： | 碳化硅 多孔陶瓷 氧化结合法 氧化率 二氧化硅 气孔率 |
Preparation and Characterization of Porous SiC Ceramics by Oxidation Bonding Method |
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| BAI Cheng-ying,SU Kui-fan,DENG Xiang-yun,LI Jian-bao,WANG Chun-peng,JING Ya-ni.Preparation and Characterization of Porous SiC Ceramics by Oxidation Bonding Method[J].Bulletin of the Chinese Ceramic Society,2013,32(9):1699-1703. |
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| Authors: | BAI Cheng-ying SU Kui-fan DENG Xiang-yun LI Jian-bao WANG Chun-peng JING Ya-ni |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | SiC porous ceramics oxidation bonding method oxidation degree SiO2 porosity |
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