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一种基于自偏置技术的低功耗锁相环设计
引用本文:范昊,黄鲁,胡腾飞.一种基于自偏置技术的低功耗锁相环设计[J].微电子学,2015,45(2):196-199.
作者姓名:范昊  黄鲁  胡腾飞
作者单位:中国科学技术大学 电子科学与技术系, 合肥 230027,中国科学技术大学 电子科学与技术系, 合肥 230027,中国科学技术大学 电子科学与技术系, 合肥 230027
基金项目:国家科技重大专项资助项目(2011ZX03004-002-01)
摘    要:采用TSMC 0.13 μm CMOS工艺,设计并实现了一种低功耗、具有固定的环路带宽与工作频率之比,以及良好相位噪声性能的自偏置锁相环(PLL)芯片电路。仿真结果表明,该PLL电路工作频率范围为200~800 MHz,在480 MHz输出频率的相位噪声为-108 dBc@1 MHz,1.2 V电源供电下消耗功耗2 mW。芯片核心电路面积仅为0.15 mm2,非常适合应用于系统集成。

关 键 词:锁相环    自偏置    电荷泵    压控振荡器
收稿时间:2013/12/26 0:00:00
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