首页 | 官方网站   微博 | 高级检索  
     

弯曲应变下六角晶格量子反铁磁体的赝朗道能级
引用本文:解晓洁,孙俊松,秦吉红,郭怀明.弯曲应变下六角晶格量子反铁磁体的赝朗道能级[J].物理学报,2024(2):19-28.
作者姓名:解晓洁  孙俊松  秦吉红  郭怀明
作者单位:1. 北京科技大学物理系;2. 北京科技大学,理论物理研究所;3. 北京航空航天大学物理系
基金项目:国家自然科学基金(批准号:11774019,12074022);;中央高校基本科研业务费(批准号:FRF-BR-16-014A)资助的课题~~;
摘    要:利用线性自旋波理论和量子蒙特卡罗方法研究了弯曲应变下六角晶格量子反铁磁体的赝朗道能级.通过线性自旋波理论,发现磁赝朗道能级出现在磁子能谱的高能端,其能级间距与能级指数的平方根成正比.线性自旋波理论和量子蒙特卡罗方法都显示,尺寸相同时随着应变强度的逐渐增加,局域磁化强度逐渐减弱,应变强度相同的条件下反铁磁序在y方向上连续减弱,因为上边界处的海森伯链解耦为孤立的垂直链,导致上边界附近的磁序被破坏.量子蒙特卡罗方法提供了更精确的反铁磁序演化:在特定应变强度下上边界处垂直关联不变,水平关联增加,从而影响磁化强度,使局域磁化在上边界处呈上翘趋势.研究结果有助于理解弯曲应变对自旋激发的影响,并可能在二维量子磁性材料实验中得以实现.

关 键 词:弯曲应变  赝朗道能级  线性自旋波理论  量子蒙特卡罗方法
点击此处可从《物理学报》浏览原始摘要信息
点击此处可从《物理学报》下载免费的PDF全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司    京ICP备09084417号-23

京公网安备 11010802026262号