0.18μm NMOS的重离子单粒子瞬态脉冲的仿真模拟 |
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引用本文: | 李飞,安海华.0.18μm NMOS的重离子单粒子瞬态脉冲的仿真模拟[J].电子器件,2011(5):558-561. |
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作者姓名: | 李飞 安海华 |
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作者单位: | 西安卫光科技有限公司; |
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摘 要: | 为了详细地了解纳米MOS电路中单粒子瞬变电荷收集机理,利用ISETCAD软件仿真二维模拟0.18μm NMOS的单粒子瞬态脉冲。通过进行三种不同的电路连接方式和不同的粒子注入位置的仿真,得到了一系列单粒子瞬态电流脉冲(SET)与时间的关系曲线。分析了不同电路连接方式和注入位置对SET的峰值和脉宽的影响。为下一步建立SET的精确模型进行SET效应的模拟做基础的研究。
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关 键 词: | ISE仿真 NMOS 单粒子瞬态脉冲 单粒子注入位置 |
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