| 掺稀土元素(Y,La)的γ-Si3N4的电子结构和光学性质 |
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| 引用本文： | 丁迎春,向安平,徐明,祝文军.掺稀土元素(Y,La)的γ-Si3N4的电子结构和光学性质[J].物理学报,2007,56(10). |
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| 作者姓名： | 丁迎春 向安平 徐明 祝文军 |
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| 摘 要： | 采用基于密度泛函的平面赝势方法(PWP)和广义梯度近似(GGA),计算了未掺杂和掺杂稀土(Y,La)的γ-Si3N4中N-Y(La)键的布居值和它们的键长、掺杂后能带结构和态密度.发现掺杂后的带隙要减小,并且可能形成新的半导体,这将为找到新的半导体提供一个方向.还进一步研究了掺杂稀土(Y,La)后的光学性质,掺杂后有更高的静态介电常数,可以作为新的介电材料和好的折射材料,这对于一定的光学元件有潜在的应用前景.
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| 关 键 词： | γ-Si3N4 掺杂 电子结构 光学性质 |
Electrical structures and optical properties of doped earth element (Y,La) in γ-Si3N4 |
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| Ding Ying-Chun,Xiang An-Ping,Xu Ming,Zhu Wen-Jun.Electrical structures and optical properties of doped earth element (Y,La) in γ-Si3N4[J].Acta Physica Sinica,2007,56(10). |
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| Authors: | Ding Ying-Chun Xiang An-Ping Xu Ming Zhu Wen-Jun |
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